[發明專利]新型高密度陰極等離子體源

有效

• 申請號: 201310173444.0
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN103298233A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 李波;吳杰峰;羅廣南;王海京;韋俊;宋春
• 申請（專利權）人: 合肥聚能電物理高技術開發有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：包括有屏蔽罩，屏蔽罩中設有屏蔽筒，屏蔽筒中設有LaB6陰極、加熱元件，屏蔽罩的后端設有安裝基座，安裝基座為水冷熱沉結構，安裝基座通過數個支撐桿固定在安裝法蘭的內壁上，安裝法蘭安裝進氣連接件作為進氣口，安裝法蘭自外向內貫穿一個電連接件，電連接件的周圍與安裝法蘭之間超高真空密封，電連接件的一端與加熱元件連接，安裝法蘭外還設有一水冷電極，水冷電極通過安裝法蘭內的水冷接頭與加熱元件連接。

2.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的安裝法蘭安裝在真空室的真空法蘭上，所述的屏蔽筒、LaB6陰極、加熱元件、支撐桿均位于真空室內。

3.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的電連接件與安裝法蘭之間絕緣。

4.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的加熱元件采用加熱絲。

5.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的屏蔽筒包括有直徑依次減小的屏蔽筒一、屏蔽筒二、屏蔽筒三，各屏蔽筒的一端抵在屏蔽罩的側壁上并采用氬弧焊連接，各屏蔽筒的另一端分別設有屏蔽片一、屏蔽片二、屏蔽片三。

6.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：還包括有屏蔽支撐，所述的屏蔽支撐包括24個相同大小的小型鎢棒，分別使用氬弧焊技術焊接在屏蔽筒一和屏蔽罩之間。

7.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的LaB6陰極固定在陰極保持架上，所述的陰極保持架包括兩個半爿結構的凹槽圓片，陰極保持架采用極耐高溫材料加工而成，陰極保持架的內部與LaB6陰極僅點接觸。

8.根據權利要求1或5或7所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的屏蔽罩與陰極保持架之間設有石墨紙，石墨紙為特殊石墨材料的紙狀薄片。

9.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的進氣連接件為真空元器件，進氣連接件與安裝法蘭保持超高真空密封連接，留有標準真空器件端口與外置進氣機構連接。

10.根據權利要求1所述的新型高密度陰極等離子體源，其特征在于：所述的水冷電極可容許大電流通過，而且始終保持與安裝法蘭的絕緣和超高真空密封。