[發明專利]一種功率MOSFET的溝槽終端結構及制造方法

無效

• 申請號: 201310173433.2
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN103295911A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 王新
• 申請（專利權）人: 成都瑞芯電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 梁田

1.一種功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，包括如下步驟：

步驟101.在襯底（21）上生長外延層（22）；在外延層（22）上刻蝕形成第一溝槽（18）和位于第一溝槽靠近芯片內部一側的第二溝槽（19）；在溝槽內生長柵氧化層（23a）；?

步驟102.在第一溝槽（18）和第二溝槽（19）淀積多晶硅，使多晶硅填充整個溝槽全部內表面，在第一溝槽形成柵電極（24a），在第二溝槽形成懸浮場板（24b）；

步驟103.在第一溝槽（18）和第二溝槽（19）之間以及第一溝槽靠芯片邊界（17）一側注入形成體區（25）；隨后在第一溝槽靠芯片邊界一側的體區注入形成源區（27）；

步驟104.在硅片表面淀積隔離氧化層(29)，并在隔離氧化層(29)上構造與源區(27)形成良好歐姆接觸的源級接觸結構。

2.如權利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：所述隔離氧化層(29)材料為BPSG。

3.如權利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：所述源區(27)的注入濃度比外延層(22)摻雜濃度大兩個數量級。

4.如權利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：

所述步驟101中的襯底和外延層為N型；

所述步驟102中的多晶硅為N型摻雜；

所述步驟103中體區為P型注入，源區為N型注入。

5.如權利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：所述襯底電阻率為1~3‰ohm-cm。

6.如權利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：所述步驟104中構造源級接觸結構具體為：

步驟104a.在隔離氧化層上刻蝕金屬接觸孔(28)；

步驟104b.在外延層上與金屬接觸孔相交的區域注入歐姆接觸區(26)；

步驟104c.在歐姆接觸區上淀積金屬充滿金屬接觸孔，使淀積金屬高度高于所述隔離氧化層上表面。

7.如權利要求6所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：所述歐姆接觸區的雜質注入濃度大于步驟103中體區雜質注入濃度兩個數量級。

8.如權利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結構制造方法，其特征在于：所述步驟104在完成在隔離氧化層上構造源級接觸結構后，還包括將襯底減薄至200微米的步驟。

9.一種功率MOSFET的溝槽終端結構，包括襯底（21）和位于襯底上的外延層（22），包括如下全部特征：

所述外延層（22）上具有第一溝槽（18）和第二溝槽（19）；溝槽內部生長柵氧化層（23a）；所述第一溝槽內部有多晶硅形成的柵電極（24a）；所述第二溝槽內部有多晶硅形成的懸浮場板（24b）；

在第一溝槽（18）和第二溝槽（19）之間以及第一溝槽靠芯片邊界（17）一側具有體區（25）；在第一溝槽靠芯片邊界一側的體區上面還有源區（27）；

在硅片表面還具備隔離氧化層（29），在隔離氧化層上有與源區形成良好歐姆接觸的源級接觸結構。