[發(fā)明專利]一種窄帶隙給受體材料及其應(yīng)用

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310172387.4
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN103275696A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴文勇;趙玲玲;陳垚;張廣維;黃維
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號: C09K11/06
• 分類號: C09K11/06;H01L51/46;H01L51/54;H01L51/30
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 葉連生

1.一種窄帶隙給受體材料，其特征在于該材料以三并茚為核、以噻吩-苯噻唑衍生物為枝臂、咔唑基團封端的星型多取代化合物，其通式結(jié)構(gòu)如下式I所示：

通式I中，X為芳環(huán)結(jié)構(gòu)，其具體如下列結(jié)構(gòu)：

其中，R為C₁?C₁₂的烷基，C₁?C₁₂的烷氧基；N是氮原子，S是硫原子。

2.一種如權(quán)利要求1所述的窄帶隙給受體材料的應(yīng)用，其特征在于該材料應(yīng)用于有機電致發(fā)光器件、有機電存儲器件、有機場效應(yīng)晶體管或有機太陽能電池；有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為陽極/空穴注入層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子傳輸層/陰極，其中窄帶隙給受體材料作為發(fā)光層；有機電存儲器件結(jié)構(gòu)為頂電極/功能存儲層/玻璃基底，其中窄帶隙給受體材料作為功能存儲層。