[發明專利]一種單晶硅片堿式制絨工藝有效
| 申請號： | 201310172304.1 | 申請日： | 2013-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN103572373A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 韓健鵬;吳敏 | 申請（專利權）人： | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;H01L31/18;C23F1/32;C23F1/02 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 322118 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 片堿式制絨 工藝 | ||
1.?一種單晶硅片堿式制絨工藝，其特征在于，包括以下步驟：
（a）去損傷層：將單晶硅片（1）置于第一腐蝕液中腐蝕，然后用去離子水洗凈并烘干；
（b）掩膜制備：將去損傷層的單晶硅片放入氧化爐中氧化，在單晶硅片表面形成SiO2掩膜（2）；
（c）掩膜開窗：對形成有SiO2掩膜的單晶硅片表面進行開窗，使SiO2掩膜上形成均勻間隔分布的開窗孔（3）；
（d）表面制絨：將開窗后的單晶硅片置于第二腐蝕液中進行腐蝕，使單晶硅片表面形成倒金字塔結構的絨面（4）；
（e）去掩膜：將制絨后的單晶硅片置于第三腐蝕液中腐蝕去除SiO2掩膜，再用去離子水洗凈后烘干。
2.?根據權利要求1所述的一種單晶硅片堿式制絨工藝，其特征在于，步驟（a）中，所述第一腐蝕液為質量濃度為12~16%的NaOH溶液，腐蝕溫度為70~100℃，腐蝕時間為30~50s。
3.?根據權利要求1所述的一種單晶硅片堿式制絨工藝，其特征在于，SiO2掩膜的厚度為10~200nm。
4.?根據權利要求1所述的一種單晶硅片堿式制絨工藝，其特征在于，步驟（c）中采用激光開窗，開窗孔間隔4~8μm，孔徑為2~4μm。
5.?根據權利要求1所述的一種單晶硅片堿式制絨工藝，其特征在于，步驟（d）中，所述第二腐蝕液為質量濃度為18~25%的NaOH溶液，刻蝕溫度為70~100℃，腐蝕時間為20~60min。
6.?根據權利要求1所述的一種單晶硅片堿式制絨工藝，其特征在于，步驟（e）中，所述第三腐蝕液為質量濃度為8~15%的HF溶液。
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