[發明專利]一種碘化法生產超高純鈦的裝置

無效

• 申請號: 201310171243.7
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN104141058A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 方敏
• 主分類號: C22B34/12
• 分類號: C22B34/12
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本發明涉及一種超高純鈦的生產裝置，特別涉及碘化法生產半導體用超高純金屬提純裝置。

背景技術

目前用于集成電路板的高純金屬靶材的原料，超高純鈦目前我國還不能自給，其主要問題是精細冶煉工藝尚未過關。提純超高純鈦的方法主要有克勞爾法、電解熔鹽法、碘化法、電子束熔煉法等，在碘化法生產超高純鈦中，有將原料罐與沉積罐放在同一罐體中，這將造成超高純鈦沉積區域高溫對合成區域形成熱輻射作用，導致合成區域溫度超出理想的合成溫度范圍，對雜質提純效果不佳，且原料海綿鈦的裝載量也非常有限，影響產能。?

發明內容

為解決碘化法生產超高純鈦提純效果和產能的問題，本發明提供了一種碘化法生產超高純鈦的裝置，該設備性能穩定、可靠。

一種碘化法生產超高純鈦的裝置，主要有原料罐、罐蓋、超高純鈦沉積管、加碘罐、碘回收罐、沉積罐，原料罐與沉積罐為分開的兩個獨立的罐體，原料罐與沉積罐均通過密封墊分別與相應的罐蓋連接，原料罐裝有海綿鈦，沉積罐內部設有超高純鈦沉積管，可通過加碘罐在反應初始和反應過程中補加原料碘。

本發明是碘化法生產高純鈦的裝置，原料罐與沉積罐為分開的兩個獨立的罐體，避免了沉積區對原料區的高溫輻射造成的原料合成區域溫度超出理想溫度區間的問題，同時可增加粗鈦原料的一次轉載量以及通過加碘罐解決反應過程中補加單質碘的問題，使反應過程去除雜質元素的效果更好，反應過程更加可控，且產能和生產效率大幅提高。利用該裝置生產的產品純度可達到5N（99.999%）以上。

附圖說明

圖1為本發明超高純鈦的生產裝置結構示意圖。

圖中：1—原料罐、2—罐體保溫層、3—加熱爐、4—粗鈦原料、5—加碘罐、6—碘回收罐、7—密封墊、8—真空閥、9—罐蓋、10—原料罐測溫儀、11-輸送管、12—氣泵、13—超高純鈦沉積管、14—沉積管加熱絲、15—測溫觀察孔、16—真空室、17—沉積罐、18—冷卻風機、19—反應罐鉬網。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明進行進一步詳細說明。

一種碘化法生產超高純鈦的裝置，主要包括原料罐（1）、沉積罐（17）、超高純鈦沉積管（13）、加碘罐（5），粗鈦原料（4）裝在原料罐（1）中。

本發明生產超高純鈦時，罐體與罐蓋之間通過密封墊密封，整個系統抽真空后，通過加碘罐（5）向原料罐（1）中加入單質碘，生成的碘化物在氣泵的作用下遷移到沉積罐（17）中在超高純鈦沉積管（13）沉積，沉積后分解的單質碘又通過氣泵遷移到原料罐（1）中，循環往返，反應結束后，打開碘回收罐（6），回收完單質碘后，冷卻爐體，打開罐蓋（9），得到純度5N（99.999%）以上超高純鈦產品。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明的技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發明技術方案保護的范圍內。?