[發(fā)明專利]具有嵌入式應(yīng)變感應(yīng)圖案的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310169990.7
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103515441B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 前田茂伸;福留秀暢;高榮健;鄭周鉉
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/04
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 張云珠,李云霞

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

有源區(qū)域，形成在基底中，并具有上表面、第一側(cè)表面、與第一側(cè)表面相對的第二側(cè)表面以及與第一側(cè)表面和第二側(cè)表面接觸的第三側(cè)表面；

柵電極，覆蓋所述上表面、第一側(cè)表面和第二側(cè)表面中的至少一個；

應(yīng)變感應(yīng)圖案，與有源區(qū)域的第三側(cè)表面接觸，

其中，有源區(qū)域的第三側(cè)表面包括兩個或更多平面，所述兩個或更多平面中的第一平面相對于第一側(cè)表面形成銳角，所述兩個或更多平面中的第二平面相對于第二側(cè)表面形成銳角。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的第一平面和第二平面中的每個與所述上表面垂直。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的第一平面和第二平面相交的第一邊緣與所述上表面垂直。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一邊緣與柵電極重疊。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的上表面具有{110}表面，第一側(cè)表面和第二側(cè)表面中的每個具有{100}表面，第一平面和第二平面中的每個具有{111}表面。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的第三側(cè)表面包括第三平面，所述第三平面與第一平面的上端和第二平面的上端接觸并與所述上表面接觸，其中，第三平面相對于所述上表面形成銳角。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，第三平面具有{111}表面。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域和應(yīng)變感應(yīng)圖案之間的界面具有梯形形狀。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的第一平面和第二平面具有V形形狀。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的第三側(cè)表面包括：

第三平面，與第一平面的上端和第二平面的上端接觸并與所述上表面接觸；

第四平面，與第一平面的下端和第二平面的下端接觸，

其中，第三平面相對于所述上表面形成銳角。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的上表面、第一側(cè)表面和第二側(cè)表面中的每個具有{110}表面，第一平面、第二平面、第三平面和第四平面中的每個具有{111}表面。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一平面、第二平面、第三平面和第四平面在第一角點(diǎn)處相交。

13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

有源區(qū)域的第一平面、第二平面和第三平面相交的第二角點(diǎn)；

第一平面和第二平面相交的第二邊緣；

第一平面、第二平面和第四平面相交的第三角點(diǎn)，

其中，由第二角點(diǎn)、第二邊緣和第三角點(diǎn)形成的線段與有源區(qū)域的上表面垂直定位。

14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

有源區(qū)域的第一平面、第三平面和第四平面相交的第四角點(diǎn)；

第三平面和第四平面相交的第三邊緣；

第二平面、第三平面和第四平面相交的第五角點(diǎn)，

其中，由第四角點(diǎn)、第三邊緣和第五角點(diǎn)形成的線段與有源區(qū)域的上表面平行定位。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的第三側(cè)表面包括：

第五平面，與第一側(cè)表面接觸并與第一平面的下端接觸；

第六平面，與第二側(cè)表面接觸并與第二平面的下端接觸，

其中，第一平面與第一側(cè)表面和所述上表面接觸，并相對于第一側(cè)表面和所述上表面中的每個形成銳角，

第二平面與第二側(cè)表面和所述上表面接觸，并相對于第二側(cè)表面和所述上表面中的每個形成銳角，

第五平面相對于第一側(cè)表面形成銳角，

第六平面相對于第二側(cè)表面形成銳角，

第一平面、第二平面、第五平面和第六平面相交而形成第六角點(diǎn)。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，有源區(qū)域的上表面、第一側(cè)表面和第二側(cè)表面中的每個具有{100}表面，第一平面、第二平面、第五平面和第六平面中的每個具有{111}表面。

17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，柵電極覆蓋有源區(qū)域的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。