[發明專利]一種光子晶體非晶硅薄膜太陽電池

有效

• 申請號: 201310169458.5
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103227226B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 侯國付;陳培專;張建軍;倪牮;張曉丹;趙穎
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: H01L31/052
• 分類號: H01L31/052
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種光子晶體非晶硅薄膜太陽電池，其特征在于：由襯底、一維光子晶體背反射器、背電極、n型氫化非晶硅、本征氫化非晶硅、p型氫化非晶硅和前電極組成疊層結構，其中一維光子晶體背反射器是由低折射率介質和高折射率介質周期性交疊構成，周期數大于等于兩個整數周期，背電極和前電極為高透過、高電導、低吸收的透明導電膜并作為電流引出電極。

2.根據權利要求1所述光子晶體非晶硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述襯底為玻璃、不銹鋼或塑料。

3.根據權利要求1所述光子晶體非晶硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述一維光子晶體背反射器中的低折射率介質為氧化硅膜，氧化硅膜采用RF-PECVD制備，氣源采用硅烷、氫氣和二氧化碳，折射率為1.4-2.0，厚度為50-500nm；高折射率介質為與硅基薄膜工藝兼容的氫化非晶硅膜，氫化非晶硅膜同樣采用RF-PECVD制備，氣源采用硅烷和氫氣，折射率為3.0-5.0，厚度為10-100nm。

4.根據權利要求1所述光子晶體非晶硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述透明導電膜為摻鋁氧化鋅膜或氧化銦錫膜。

5.根據權利要求1所述光子晶體非晶硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述本征氫化非晶硅厚度為200-400nm。