[發明專利]鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310168982.0
• 申請日: 2013-05-06
• 公開（公告）號: CN104140818A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;C09K11/79;H05B33/14
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

【技術領域】

本發明涉及一種鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的薄膜，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜，仍未見報道。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜、其制備方法該鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜電致發光器件及其制備方法。

一種鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜，其化學式為Me₃Sc₂Si₃O₁₂:xCe³⁺,其中，0.01≤x≤0.05，Me₃Sc₂Si₃O₁₂是基質，鈰元素是激活元素，Me為Al,Ga,In或Tl。

鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜的厚度為80nm～300nm。

一種鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據Me₃Sc₂Si₃O₁₂:xCe³⁺各元素的化學計量比將四甲基庚二酮堿土鹽、三羰基鈧、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰通入反應室內，及

然后通入氧氣，進行化學氣相沉積得到鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜其化學式為Me₃Sc₂Si₃O₁₂:xCe³⁺的鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜，其中，0.01≤x≤0.05，Me₃Sc₂Si₃O₁₂是基質，鈰元素是激活元素，Me為Al,Ga,In或Tl。

四甲基庚二酮堿土鹽、三羰基鈧、硅烷和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)鈰摩爾比為3：2：3：（0.01～0.05）;

氬氣氣流量為5～15sccm，氧氣氣流量為10～200sccm。

一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜的化學式為Me₃Sc₂Si₃O₁₂:xCe³⁺,其中，0.01≤x≤0.05，Me₃Sc₂Si₃O₁₂是基質，鈰元素是激活元素，Me為Al,Ga,In或Tl。

一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜，該鈰摻雜三族鈧硅酸鹽發光薄膜的化學式為Me₃Sc₂Si₃O₁₂:xCe³⁺,其中，0.01≤x≤0.05，Me₃Sc₂Si₃O₁₂是基質，鈰元素是激活元素，Me為Al,Ga,In或Tl；

在所述發光層上形成陰極。

在優選的實施例中，所述發光層的制備包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；