[發明專利]錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310168938.X
• 申請日: 2013-05-06
• 公開（公告）號: CN104140810A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59;C23C14/35;C23C14/58;H05B33/14
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料，其特征在于：其化學式為BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺，BaSi₂O₂N₂是基質，Mn⁴⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.08。

2.根據權利要求1所述的發光材料，其特征在于：所述x為0.03。

3.一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺各元素的化學計量比稱取BaO，SiON和MnO₂粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.08；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時即得到化學式為BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料。

4.一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光薄膜，其特征在于，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光薄膜的材料的化學通式為BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺，BaSi₂O₂N₂是基質，Mn⁴⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.08。

5.一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺各元素的化學計量比稱取BaO，SiON和MnO₂粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.08；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃，接著進行制膜，得到化學式為BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光薄膜。

6.根據權利要求5所述的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟：將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光薄膜于500℃～800℃下真空退火處理1h～3h。

7.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料的化學式為BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺，BaSi₂O₂N₂是基質，Mn⁴⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.08。

8.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發光材料的化學式為BaSi₂O₂N₂：xMn⁴⁺，BaSi₂O₂N₂是基質，Mn⁴⁺離子是激活元素，其中，x為0.01～0.08；

在所述發光層上形成陰極。