[發(fā)明專利]電子部件、電子部件內(nèi)置基板以及電子部件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310168493.5
• 申請(qǐng)日: 2013-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103390498A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 多瀨田安范;藤本力
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H01G4/232
• 分類號(hào): H01G4/232;H01G4/224;H01G4/30;H05K1/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 薛凱

1.一種電子部件，具備：

胚體；和

配置于所述胚體的外表面的第1以及第2外部電極，

所述第1以及第2外部電極具有：

含金屬銅的層；和

保護(hù)層，其在所述第1以及第2的外部電極的緣端部覆蓋所述含金屬銅的層，并由氧化銅構(gòu)成，其中，所述第1以及第2外部電極的緣端部在所述胚體上相互對(duì)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件，其中，

所述保護(hù)層覆蓋含金屬銅的層的表面整體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件，其中，

保護(hù)層含Cu₂O。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其中

保護(hù)層含CuO。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電子部件，其中

所述第1外部電極和所述第2外部電極之間的最短距離為0.6mm以下。

6.一種電子部件內(nèi)置基板，具備：樹(shù)脂基板；和埋設(shè)于所述樹(shù)脂基板內(nèi)的電子部件，其中，

所述電子部件具備：

胚體；和

配置于所述胚體的外表面的第1以及第2外部電極，

所述第1以及第2外部電極具有：

含金屬銅的層；和

保護(hù)層，其在所述第1以及第2的外部電極的緣端部覆蓋所述含金屬銅的層的表面，并由氧化銅構(gòu)成，其中，所述第1以及第2外部電極的緣端部在所述胚體上相互對(duì)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子部件內(nèi)置基板，其中，

所述樹(shù)脂基板在所述樹(shù)脂基板的主面開(kāi)口，并具有面臨所述第1或第2外部電極的含金屬銅的層的導(dǎo)通孔，

所述電子部件內(nèi)置基板還具備：導(dǎo)通孔電極，其配置于所述導(dǎo)通孔內(nèi)，與所述第1或第2外部電極的含金屬銅的層連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件內(nèi)置基板，其中，

所述導(dǎo)通孔貫通所述保護(hù)層而面臨所述第1或第2外部電極的含金屬銅的層。

9.一種電子部件的制造方法，具備：

準(zhǔn)備胚體的工序；和

在所述胚體上形成外部電極的工序，

形成所述外部電極的工序包含：

形成所述含金屬銅的層的工序；和

通過(guò)對(duì)所述含金屬銅的層的表層進(jìn)行氧化處理來(lái)形成由氧化銅構(gòu)成的保護(hù)層的工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件的制造方法，其中，

通過(guò)在有氧氣氛下加熱所述外部電極來(lái)進(jìn)行所述氧化工序。