[發明專利]釤摻雜稀土氮化硅發光材料、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310168124.6
• 申請日: 2013-05-06
• 公開（公告）號: CN104140816A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;C23C14/35;H05B33/14
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種釤摻雜稀土氮化硅發光材料，其特征在于：其化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子。

2.一種釤摻雜稀土氮化硅發光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺各元素的化學計量比稱取MeN，Si₃N₄和SmN粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.05，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時即得到化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺的釤摻雜稀土氮化硅發光材料。

3.一種釤摻雜稀土氮化硅發光薄膜，其特征在于，該釤摻雜稀土氮化硅發光薄膜的材料的化學通式為Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子。

4.一種釤摻雜稀土氮化硅發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺各元素的化學計量比稱取MeN，Si₃N₄和SmN粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時制成靶材，其中，x為0.01～0.05，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～35sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80W～300W，接著進行制膜，得到化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺的釤摻雜稀土氮化硅發光薄膜，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子。

5.根據權利要求4所述的釤摻雜稀土氮化硅發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強為2Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為25sccm，襯底溫度為500℃，激光能量為150W。

6.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為釤摻雜稀土氮化硅發光材料，該釤摻雜稀土氮化硅發光材料的化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子。

7.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為釤摻雜稀土氮化硅發光材料，該釤摻雜稀土氮化硅發光材料的化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSm³⁺，其中，x為0.01～0.05，Me為鑭離子，釓離子，鐿離子或镥離子；

在所述發光層上形成陰極。