[發明專利]光伏器件、其形成方法以及等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統

有效

• 申請號: 201310168107.2
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103390697A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 陳自強;A·J·洪;金志煥;D·K·薩達那
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/077;H01L31/0368;H01L21/205
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種形成光伏器件的方法，包括：

提供襯底；以及

在所述襯底上沉積光伏疊層的一個或多個層，所述一個或多個層的沉積包括以下步驟：

執行高功率快閃沉積以沉積所述層的第一部分；以及

執行低功率沉積以沉積所述層的第二部分。

2.根據權利要求1的方法，其中所述一個或多個層包括位于所述襯底上形成的透明電極與p型層之間的緩沖層，所述方法進一步包括：

執行所述高功率快閃沉積以沉積所述緩沖層的第一部分，以及

執行所述低功率沉積以沉積所述緩沖層的第二部分。

3.根據權利要求2的方法，其中所述緩沖層包括所述透明電極上沉積的鍺。

4.根據權利要求1的方法，其中執行高功率快閃沉積包括以小于約5秒沉積小于約5nm的厚度。

5.根據權利要求1的方法，其中執行高功率快閃沉積包括沉積結晶性隨深度增加的厚度。

6.根據權利要求1的方法，其中執行高功率快閃沉積包括以約100mW/cm²至約100W/cm²之間的功率提供等離子體增強化學氣相沉積。

7.根據權利要求1的方法，其中執行高功率快閃沉積包括以脈沖的方式執行所述高功率快閃沉積以在同一層中形成高功率快閃沉積材料的多個厚度。

8.根據權利要求1的方法，其中沉積所述一個或多個層包括沉積用于p型層和緩沖層的結晶性增加的層，所述緩沖層形成于所述襯底上的透明電極與所述p型層之間。

9.根據權利要求1的方法，其中所述高功率快閃沉積在所述低功率沉積之前執行。

10.根據權利要求1的方法，其中所述高功率快閃沉積在所述低功率沉積之后執行。

11.一種形成光伏器件的方法，包括：

提供襯底；以及

在所述襯底上形成的透明電極與光伏疊層的p型層之間沉積緩沖層，沉積所述緩沖層包括以下步驟：

執行高功率快閃沉積以沉積所述緩沖層的第一部分，從而增加所述緩沖層的結晶性和導電性；以及

執行低功率沉積以沉積所述緩沖層的第二部分并具有更加非晶的形式。

12.根據權利要求11的方法，其中所述緩沖層包括沉積于所述透明電極上的鍺。

13.根據權利要求11的方法，其中執行高功率快閃沉積包括以小于約5秒沉積小于約5nm的厚度。

14.根據權利要求11的方法，其中執行高功率快閃沉積包括沉積結晶性隨深度增加的厚度。

15.根據權利要求11的方法，其中執行高功率快閃沉積包括以約100mW/cm²至約100W/cm²之間的功率提供等離子體增強化學氣相沉積。

16.根據權利要求11的方法，其中執行高功率快閃沉積包括以脈沖的方式執行所述高功率快閃沉積以在同一層中形成高功率快閃沉積材料的多個厚度。

17.根據權利要求11的方法，進一步包括通過執行高功率快閃沉積以沉積所述p型層的第一部分以及執行低功率沉積以沉積所述p型層的第二部分來沉積所述p型層。

18.根據權利要求11的方法，其中所述高功率快閃沉積在所述低功率沉積之后執行。

19.一種等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）系統，包括：

真空室，其被配置為接收用于形成光伏器件的襯底；

第一功率發生器，其被配置為在所述真空室中產生電場，從而執行高功率PECVD快閃沉積以在所述襯底上沉積層的第一部分，所述層包括在光伏疊層的一個或多個層中；以及

第二功率發生器，其被配置為在所述真空室中產生電場，從而執行低功率PECVD沉積以在所述襯底上沉積所述層的第二部分。

20.根據權利要求19的系統，其中所述高功率快閃沉積以小于約5秒形成小于約5nm的厚度。

21.根據權利要求19的系統，其中所述第一功率發生器以約100mW/cm²至約100W/cm²之間的功率提供等離子體。