[發(fā)明專利]固體攝像器件及包括它的攝像裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310168084.5 | 申請日: | 2010-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN103378120A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 正垣敦;山村育弘 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;褚海英 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 攝像 器件 包括 裝置 | ||
1.一種固體攝像器件,其包括:
光電轉(zhuǎn)換元件,其形成在半導(dǎo)體基板中;
第一隱埋柵極電極,其靠近于所述光電轉(zhuǎn)換元件形成;以及
第一存儲部,其靠近于所述第一隱埋柵極電極形成,
其中,所述第一存儲部形成為埋入在所述半導(dǎo)體基板中。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述第一存儲部是浮動擴(kuò)散部。
3.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件還包括:
第一溝道形成區(qū)域,其至少部分地形成在所述第一隱埋柵極電極的周邊,并接觸所述光電轉(zhuǎn)換元件。
4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件還包括:
第二存儲部,其形成為與所述第一存儲部重疊,并接觸所述第一溝道形成區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件還包括:
第二隱埋柵極電極,其形成為使得所述第一存儲部和所述第二存儲部位于所述第一隱埋柵極電極和第二隱埋柵極電極之間。
6.如權(quán)利要求4所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件還包括:
第一雜質(zhì)區(qū)域,其形成在所述第一隱埋柵極電極的周邊,并與所述光電轉(zhuǎn)換元件接觸,
其中,所述第一溝道形成區(qū)域形成在所述第一雜質(zhì)區(qū)域的一部分中。
7.如權(quán)利要求5所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件還包括:
第二溝道形成區(qū)域,其形成在所述第二隱埋柵極電極的周邊,并接觸所述第一存儲部和所述第二存儲部。
8.如權(quán)利要求7所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件還包括:
第二雜質(zhì)區(qū)域,其形成在所述第二隱埋柵極電極的周邊,
其中,所述第二溝道形成區(qū)域形成在所述第二雜質(zhì)區(qū)域的一部分中。
9.一種攝像裝置,其包括:
前述權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件;以及
用于將物體的圖像在所述固體攝像器件上成像的光學(xué)系統(tǒng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





