[發(fā)明專利]光開關(guān)元件及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310166640.5 | 申請日: | 2013-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN104143573A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張鼎張;陳禹鈞;謝天宇;周政旭;鐘旺成;張榮芳 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開關(guān) 元件 顯示 面板 | ||
1.一種光開關(guān)元件,其特征在于,包括:
一基板;
一柵極,設(shè)置于所述基板之上;
一通道層,設(shè)置于所述基板之上,所述通道層為一氧化物半導(dǎo)體;
至少一介電層,設(shè)置于所述柵極與所述通道層之間;
一第一電極,設(shè)置于所述通道層上,并與所述通道層接觸;以及
一第二電極,設(shè)置于所述通道層上,并與所述通道層接觸而具有一接觸區(qū),所述第二電極與所述第一電極之間具有一間隔,于所述光開關(guān)元件的投影方向上,所述接觸區(qū)與所述柵極之間具有一偏移距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光開關(guān)元件,其特征在于,所述氧化物半導(dǎo)體包括一金屬氧化物,且所述金屬氧化物包括銦、鋅、鎵、錫及鉿的至少其中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光開關(guān)元件,其特征在于,所述柵極一中心面的延伸穿過所述通道層,所述通道層位于所述中心面兩側(cè)的結(jié)構(gòu)不對稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光開關(guān)元件,其特征在于,所述偏移距離介于2微米至20微米之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光開關(guān)元件,其特征在于,所述光開關(guān)元件可感測一光線,所述光線的波長介于0.01納米至500納米之間。
6.一種顯示面板,其特征在于,包括:
至少一光開關(guān)元件,具有:
一基板;
一柵極,設(shè)置于所述基板之上;
一通道層,設(shè)置于所述基板之上,所述通道層為一氧化物半導(dǎo)體;
至少一介電層,所述介電層設(shè)置于所述柵極與所述通道層之間;
一第一電極,設(shè)置于所述通道層上,并與所述通道層接觸;以及
一第二電極,設(shè)置于所述通道層上,并與所述通道層接觸而具有一接觸區(qū),所述第二電極與所述第一電極之間具有一間隔,于所述光開關(guān)元件的投影方向上,所述接觸區(qū)與所述柵極具有一偏移距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述氧化物半導(dǎo)體包括一金屬氧化物,且所述金屬氧化物包括銦、鋅、鎵、錫及鉿的至少其中之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述柵極一中心面的延伸穿過所述通道層,所述通道層位于所述中心面兩側(cè)的結(jié)構(gòu)不對稱。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述偏移距離介于2微米至20微米之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述光開關(guān)元件可感測一光線,所述光線的波長介于0.01納米至500納米之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





