[發明專利]一種電場阻止型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法在審
| 申請號： | 201310166256.5 | 申請日： | 2013-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN104143510A | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 芮強;張碩;王根毅;鄧小社 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 王愛偉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電場 阻止 絕緣 柵雙極型 晶體管 制造 方法 | ||
1.一種電場阻止型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，其包括：
通過在硅片背面注入形成N+阱，經高溫推阱形成N+阻止層的步驟；
在硅片正面形成柵氧層的步驟；
在柵氧層上形成多晶硅層的步驟；
對多晶硅層進行光刻與刻蝕，留出形成器件P型區注入區域開口的步驟；
P型區注入與擴散，形成承受耐壓和閾值所需的P型區的步驟；
通過光刻、注入和擴散在P型區內形成N+源區的步驟；
通過化學氣相沉積，形成介質層的步驟；
在所述介質層上形成短接P型區和源區的接觸孔的步驟；
在所述介質層表面淀積金屬電極層的步驟；
在硅片背面N+阻止層的外側通過注入與退火形成背面P+層的步驟；
在硅片背面金屬化的步驟。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片為單面擴散N型硅片。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述接觸孔是通過孔光刻與刻蝕介質層而形成。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在硅片背面金屬化是通過物理氣相沉積的方式在硅片背面P+層形成一層金屬層。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在背面注入形成N+阱，經高溫推阱在硅片背面形成N+阻止層的步驟中，注入的注入能量為80千電子伏特～160千電子伏特，摻雜濃度為1E15～1E16數量級。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在背面注入形成N+阱，經高溫推阱在硅片背面形成N+阻止層的步驟中，所述推阱條件采用1100℃～1250℃長時間推阱，推阱后的深度為20微米。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在硅片背面形成P+層的步驟中，摻雜濃度為1E18～1E20數量級，注入能量為30千電子伏特～60千電子伏特。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述在硅片背面形成P+層的步驟中，退火溫度為300℃～500℃，退火時間為20分鐘～90分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
