[發明專利]膜厚量測機臺中顆粒的監控方法及控片

有效

• 申請號: 201310166041.3
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103258758A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 祁鵬;王智;蘇俊銘;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種監控膜厚量測機臺顆粒的控片，其特征在于，所述控片包括一硅襯底，所述硅襯底的上表面覆蓋有一層薄膜；

其中，所述薄膜的材質為氧化物或氮化物。

2.如權利要求1所述的監控膜厚量測機臺顆粒的控片，其特征在于，所述氧化物為二氧化硅。

3.如權利要求1所述的監控膜厚量測機臺顆粒的控片，其特征在于，所述氮化物為氮化硅。

4.如權利要求1所述的監控膜厚量測機臺顆粒的控片，其特征在于，所述薄膜的厚度為

5.如權利要求1所述的監控膜厚量測機臺顆粒的控片，其特征在于，所述薄膜的厚度為大于

6.一種膜厚量測機臺中顆粒的監控方法，其特征在于，包括：

采用控片進行所述膜厚量測機臺中顆粒的監控；

其中，所述控片包括硅襯底和覆蓋于該硅襯底的上表面的薄膜。

7.如權利要求6所述的膜厚量測機臺中顆粒的監控方法，其特征在于，所述膜厚量測機臺包括單波長橢偏儀功能模塊和寬帶光譜橢偏儀功能模塊；

所述控片包括第一控片和第二控片；

采用所述第一控片對所述單波長橢偏儀功能模塊進行顆粒狀況監控；

采用所述第二控片對所述寬帶光譜橢偏儀功能模塊進行顆粒狀況監控。

8.如權利要求7所述的膜厚量測機臺中顆粒的監控方法，其特征在于，所述第一控片的薄膜的厚度為其材質為氧化物或氮化物；

所述第二控片的薄膜厚度為大于其材質為氧化物或氮化物。

9.如權利要求7所述的膜厚量測機臺中顆粒的監控方法，其特征在于，采用所述第一控片對所述單波長橢偏儀功能模塊的顆粒狀況進行監控的具體步驟包括：

對所述第一控片表面的顆粒狀況進行第一次檢測，并獲取第一數據；

采用所述單波長橢偏儀功能模塊對所述第一控片進行量測制程；

待所述量測制程完成后，對所述第一控片表面的顆粒狀況進行第二次檢測，并獲取第二數據；

將所述第一數據與所述第二數據進行比對，以確定該單波長橢偏儀功能模塊中的顆粒狀況。

10.如權利要求7所述的膜厚量測機臺中顆粒的監控方法，其特征在于，采用所述第二控片對所述寬帶光譜橢偏儀功能模塊的顆粒狀況進行監控的具體步驟包括：

對所述第二控片表面的顆粒狀況進行第一次檢測，并獲取第一數據；

采用所述寬帶光譜橢偏儀功能模塊對所述第二控片進行量測制程；

待所述量測制程完成后，對所述第二控片表面的顆粒狀況進行第二次檢測，并獲取第二數據；

將所述第一數據與所述第二數據進行比對，以確定該寬帶光譜橢偏儀功能模塊中的顆粒狀況。