[發(fā)明專利]高溫氧化設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310166029.2
• 申請(qǐng)日: 2013-05-07
• 公開（公告）號(hào): CN103280418A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江潤峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/673
• 分類號(hào): H01L21/673;H01L21/316
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種高溫氧化設(shè)備，其特征在于，用于提高硅片上方所沉積的薄膜的厚度的均勻性，所述高溫氧化設(shè)備包括一立式筒狀晶舟，所述晶舟內(nèi)設(shè)置有多個(gè)在豎直方向上等距離平行排列的支撐環(huán)，所述支撐環(huán)上下均勻排列分布于所述晶舟內(nèi)；

每個(gè)所述支撐環(huán)均為圓臺(tái)狀的環(huán)形支撐環(huán)，且每個(gè)支撐環(huán)的半徑自頂部向底部逐步遞增，支撐環(huán)底部的半徑與晶舟的內(nèi)徑相同，從而將支撐環(huán)的底部的周邊連接在晶舟的內(nèi)壁上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，每個(gè)所述支撐環(huán)的斜壁與所述晶舟的內(nèi)壁之間的夾角皆為70°至80°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，每個(gè)所述支撐環(huán)頂部和底部均設(shè)置有開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，所述晶舟為石英晶舟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，所述支撐環(huán)的頂部放置有晶圓，且上下相鄰的兩個(gè)晶圓各自中心處之間距離，要大于下方晶圓邊緣位置處與用于承載上方晶圓的支撐環(huán)的側(cè)壁之間的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，所述晶舟內(nèi)壁和外壁之間為空心結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，所述晶舟的底端上設(shè)置有進(jìn)氣孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高溫氧化設(shè)備，其特征在于，以環(huán)繞的方式在晶舟的位于上下相鄰的支撐環(huán)之間的內(nèi)壁上設(shè)置有多個(gè)排氣孔。