[發明專利]基板切割裝置及其方法有效
| 申請號: | 201310165967.0 | 申請日: | 2013-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN103387335A | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發明(設計)人: | 鄭薰;尹星進;辛圭晟 | 申請(專利權)人: | 燦美工程股份有限公司 |
| 主分類號: | C03B33/08 | 分類號: | C03B33/08 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 裝置 及其 方法 | ||
1.一種基板切割裝置,其特征在于,包括:
工作臺,用于放置基板;
激光部,用于生成激光束;
分光鏡,將所述激光束分成第一激光束和第二激光束;
第一加工部,利用所述第一激光束對所述基板內部進行劃線加工,以形成第一蝕刻部;以及
第二加工部,利用所述第二激光束對所述基板內部進行光束擺動劃線加工,以形成第二蝕刻部。
2.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述第一加工部包括至少一個加工透鏡。
3.如權利要求2所述的基板切割裝置,其特征在于,
各個所述加工透鏡在所述基板內部的不同位置形成聚光點。
4.如權利要求2所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述加工透鏡對所述基板內部進行厚度為10μm至500μm的劃線加工。
5.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述基板的厚度為2mm以下,所述基板的一條邊的長度為0.5m至3.5m。
6.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述第二加工部通過改變所述第二激光束照射所述基板的角度來形成所述第二蝕刻部。
7.如權利要求6所述的基板切割裝置,其特征在于,
通過所述第二加工部的照射角變化,第二激光束照射到所述基板的范圍是10mm至300mm。
8.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
還包括副產物除去部,用于吸入加工所述基板時產生的副產物。
9.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述激光束的波長為100nm至1100nm。
10.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述激光束的脈沖寬度為100fs至1ns。
11.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
所述第一蝕刻部的深度與自所述基板的下表面到所述基板內部的規定地點的距離實質相同,所述第二蝕刻部的深度與自所述基板的上表面到所述基板內部的所述規定地點的距離實質相同。
12.如權利要求1所述的基板切割裝置,其特征在于,
隨著所述第一蝕刻部與所述第二蝕刻部相接,基板被切斷。
13.一種基板切割方法,其特征在于,
利用包括至少一個加工透鏡的第一加工部,對基板內部用第一激光束進行劃線加工,以形成第一蝕刻部,
利用第二加工部,對所述基板內部用第二激光束進行光束擺動劃線加工,以形成第二蝕刻部,從而切割所述基板。
14.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
各個所述加工透鏡在所述基板內部的不同位置形成聚光點。
15.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
所述加工透鏡對所述基板內部進行厚度為10μm至500μm的劃線加工。
16.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
所述第二加工部通過改變所述第二激光束照射所述基板的角度來形成所述第二蝕刻部。
17.如權利要求16所述的基板切割方法,其特征在于,
根據所述第二加工部的照射角變化,第二激光束照射到所述基板的范圍是10mm至300mm。
18.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
加工所述基板時產生的副產物,被副產物除去部吸入。
19.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
所述激光束的波長為100nm至1100nm。
20.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
所述激光束的脈沖寬度為100fs至1ns。
21.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
所述第一蝕刻部的厚度是自所述基板的下表面到所述基板內部的任一點的距離,所述第二蝕刻部的厚度是自所述基板內部的任一點到所述基板的上表面的距離。
22.如權利要求13所述的基板切割方法,其特征在于,
隨著所述第一蝕刻部與所述第二蝕刻部相接,基板被切斷。
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