[發明專利]一種適合于亞微米柵長半導體器件制造的柵介質刻蝕方法有效

申請號：	201310165348.1	申請日：	2013-05-08
公開（公告）號：	CN103247526A	公開（公告）日：	2013-08-14
發明（設計）人：	劉海琪;王泉慧;任春江;陳堂勝	申請（專利權）人：	中國電子科技集團公司第五十五研究所
主分類號：	H01L21/311	分類號：	H01L21/311
代理公司：	南京君陶專利商標代理有限公司 32215	代理人：	沈根水
地址：	210016 ***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種適合于微米半導體器件制造介質刻蝕方法
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【權利要求書】：

1.一種適合于亞微米柵長半導體器件制造的柵介質刻蝕方法，其特征該方法包括：

1）器件柵介質層上涂覆光刻膠層，器件柵介質層的厚度在150nm-250nm；

2）通過曝光顯影在光刻膠層上形成A柵腳圖形，A柵腳圖形的線寬在50nm-250nm；

3）采用ICP刻蝕的方法以光刻膠層為掩膜，對A柵腳圖形中的介質層進行刻蝕，反應氣體為CHF_3?，氣體流量5sccm-20sccm，反應氣壓為0.1Pa-0.5Pa，上電極功率為0W，下電極功率30-100W，刻蝕去除介質層總厚度的60%-80%，為剩余介質層；

4）對剩余介質層采用低損傷干法刻蝕的方法刻蝕去除。

2.根據權利要求1所述的一種適合于亞微米柵長半導體器件制造的柵介質刻蝕方法，其特征在于剩余介質層采用低損傷ICP干法刻蝕的方法刻蝕去除，反應氣體CF₄和O₂?的質量比為4：1，CF₄流量在8sccm-32sccm，O₂流量在2sccm-8sccm，反應氣壓為0.1-0.5Pa，上電極功率100W-200W，下電極功率1W-3W。

3.根據權利要求1所述的一種適合于亞微米柵長半導體器件制造的柵介質刻蝕方法，其特征在于剩余介質層還可以采用低損傷ICP干法刻蝕的方法刻蝕去除，反應氣體為SF_6?，氣體流量在8sccm-32sccm，反應氣壓為0.1-0.5Pa，上電極功率100W-200W，下電極功率1W-3W。

4.根據權利要求1所述的一種適合于亞微米柵長半導體器件制造的柵介質刻蝕方法，其特征在于剩余介質層還可以采用低損傷RIE干法刻蝕的方法刻蝕去除，反應氣體CF₄和O_2?的質量比例為4：1，具體流量分別為CF₄在8sccm-32sccm，O₂在2sccm-8sccm，反應氣壓為0.1-0.5Pa，電極功率5W-20W。

5.根據權利要求1所述的一種適合于亞微米柵長半導體器件制造的柵介質刻蝕方法，其特征在于剩余介質層還可以采用低損傷RIE干法刻蝕的方法刻蝕去除，反應氣體為SF_6?，氣體流量在8sccm-32sccm，反應氣壓為0.1-0.5Pa，電極功率5W-20W。

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