[發明專利]避免硅襯底表面損傷的方法

有效

• 申請號: 201310165076.5
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103258731A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 王愷;陳宏璘;龍吟;倪棋梁
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種避免硅襯底表面損傷的方法，應用于離子注入工藝中，所述硅襯底的上表面覆蓋一具有缺陷的氧化層，其特征在于，所述方法包括：

采用含氧氣體對所述氧化層進行修復工藝，以去除所述缺陷；

對所述硅襯底繼續進行所述離子注入工藝。

2.根據權利要求1所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，所述缺陷為進行離子注入工藝和/或光刻和/或刻蝕工藝后對所述氧化層造成的損傷。

3.根據權利要求1所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

步驟S1、提供一襯底，所述襯底形成有柵極結構，所述襯底包括源極區域和漏極區域；

步驟S2、于所述柵極結構的上表面制備一層犧牲氧化層；

步驟S3、進行離子注入及光刻工藝，并去除光刻膠；

步驟S4、通入含氧混合反應氣體以防止所述犧牲氧化層的上表面的損傷；

步驟S5、進行后續的離子注入工藝及高溫和酸槽工藝。

4.根據權利要求2所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，步驟S1中的所述襯底為P型襯底。

5.根據權利要求2所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，步驟S2中的所述犧牲氧化層的厚度為80A～120A。

6.根據權利要求2所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，步驟S4中的所述含氧混合反應氣體為O₂和N₂或O₂和H₂的混合氣體。

7.根據權利要求6所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，通入所述O₂和N₂的氣體比例為9：1，流量為8000～9000sccm，反應時間30～60秒，溫度范圍200℃～300℃。

8.根據權利要求6所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，通入所述O₂和H₂的氣體比例為6：1，流量為1000～4000sccm，反應時間30～60秒，溫度范圍200℃～300℃。

9.根據權利要求1所述的避免硅襯底表面損傷的方法，其特征在于，所述離子注入工藝為大顆粒高能量離子注入工藝。