[發明專利]承載裝置及利用該裝置進行晶片轉移的方法

有效

• 申請號: 201310165029.0
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103317437A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 張冬芳;張守龍;白英英;陳玉文;蔣德念
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: B24B37/27
• 分類號: B24B37/27;H01L21/683
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明一般涉及半導體集成電路制造領域，更確切的說，本發明涉及一種承載裝置及利用該裝置進行晶片轉移的方法。

背景技術

當前，隨著半導體集成制造技術的不斷進步，其性能得到不斷提升，同時也伴隨著器件小型化和微型化的集成進程，半導體晶圓的平坦化工藝已經成為半導體制造領域中非常關鍵的技術，尤其是化學機械研磨技術（Chemical?Mechanical?Polishing，簡稱CMP）得到了廣泛的應用。

在CMP研磨工藝中，承載平臺的輸入端口（PIN）、輸出端口（POUT）和HCLU中均裝有識別晶片（wafer）的晶片傳感器（wafer?sensor），且只有被識別到的晶片方能進入研磨裝置進行研磨工藝。

圖1是傳統的承載平臺上固定設置傳感器的結構示意圖；如圖1所示，在傳統的承載平臺11上固定設置有均勻分布的3個晶片傳感器12，即相鄰的兩個晶片傳感器12之間的距離及相對于承載平臺11中心處的位置均相同，以能對放置在機臺11上進行研磨工藝的晶片進行檢測。

圖2是傳統的承載平臺上固定設置的傳感器的結構示意圖，圖3是傳統的承載平臺上放置有特殊形貌晶片時的結構示意圖；如圖2所示，每個晶片傳感器12均包括固定不動的噴嘴14，該噴嘴14用于噴射去離子水（deionized?water，簡稱DIW），并利用一體化（All?InOne，簡稱AIO）的轉換器（如液位送變器等）將該噴嘴14的水壓轉換為電壓，即：需要進行研磨工藝的標準晶片13就會放置在噴嘴14上，以阻擋噴嘴14噴射去離子水，進而增大該噴嘴14的水壓，并利用轉換器將噴嘴14的水壓轉換為電壓，輸出低電壓，而若沒有標準晶片13放置在噴嘴上時，則噴嘴14噴射的去離子水就沒有阻力，相應的轉換器轉換輸出的則是高電壓，所以，通過轉化器轉換后輸出電壓的高低，就可識別承載平臺11上有沒有放置標準晶片13。

但是，當放置在承載平臺上的晶片其邊緣有特殊形貌時，如圖3所示，當放置的具有特殊形貌的晶片16（如晶片邊緣具有缺口15），且若剛好噴嘴14與具有特殊形貌的晶片16于缺口15處接觸時，就會形成縫隙，而噴嘴14噴射的去離子水就從該縫隙中泄露，進而減小具有特殊形貌的晶片16對噴嘴14噴射的去離子水的阻力，使得轉換器轉換后輸出較高的電壓，即當具有缺口15（在晶片13的邊緣形成臺階結構）的晶片16放置到承載平臺上時，離子水從形成的縫隙中泄露，使得轉換器輸出較高的電壓，相應的晶片傳感器12就檢測不到該具有特殊形貌的晶片16的存在，進而會造成疊片的危險。另外，由于晶片傳感器12是固定設置的，其只能針對一種尺寸規格的晶片進行檢測識別，當對不同規格晶片進行CMP工藝時，就需要更換相應規格的傳感器，進而降低了工藝設備的稼動率。

中國專利（授權公告號:CN101511539B）記載了一種平坦化的研磨裝置及研磨方法，通過在基板上的多個區域設置多個基準信號，進而在基板的整個區域上得到均一的膜厚，且無需為了縮小傳感器的有效測定范圍而使傳感器靠近基板的被研磨面，以實用沒有貫通孔或背面凹坑等的研磨沉淀（pad）；該技術方案并沒有公開有關檢測具有特殊形貌晶片的相關技術特征，無法避免因具有如臺階結構等缺陷，而導致傳感器無法檢測到晶片，進而形成疊片的情況的出現，且只能針對一種規格的晶片進行工藝。

中國專利（申請公布號：CN102802871A）公開了一種研磨裝置、研磨墊及研磨信息管理系統，通過在研磨墊中埋設傳感器、存儲器、驅動和通信器，進而對信息進行一元化管理，從而能夠容易地進行調整動作條件、及對發生研磨不良情況進行分析等作業；該技術方案并沒有公開有關檢測具有特殊形貌晶片的相關技術特征，無法避免因具有如臺階結構等缺陷，而導致傳感器無法檢測到晶片，進而形成疊片的情況的出現，且也只能針對一種規格的晶片進行工藝。

發明內容

鑒于上述問題，本發明提供一種承載裝置，應用于晶片的研磨工藝中，其中，包括：一承載平臺，該承載平臺承載所述晶片；

所述承載平臺上設置有至少一個傳感器，以識別該承載基臺上是否承載有所述晶片；

其中，所述傳感器可移動的設置在所述承載平臺上。

上述的承載裝置，其中，所述承載平臺上還固定設置有導軌，且每個所述傳感器均沿一所述導軌進行往復運動。

上述的承載裝置，其中，每個所述導軌上均設置有位置標記，根據所述晶片尺寸和所述位置標記將所述傳感器預置在所述軌道上的對應位置處。

上述的承載裝置，其中，每個所述導軌上均設置有多個卡槽，通過一卡扣將所述卡槽與所述傳感器卡接，以將該傳感器固定在所述軌道上。