[發明專利]一種制備氮摻雜納米金剛石的方法及其電催化應用有效
| 申請號: | 201310164418.1 | 申請日: | 2013-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN103305807A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 全燮;劉艷明;陳碩;于洪濤 | 申請(專利權)人: | 大連理工大學 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C02F1/461;C02F1/70 |
| 代理公司: | 大連理工大學專利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
| 地址: | 116024*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 摻雜 納米 金剛石 方法 及其 電催化 應用 | ||
技術領域
本發明屬于電化學技術領域,涉及一種制備氮摻雜納米金剛石的方法及其電催化應用。
背景技術
環境污染和能源短缺是當今社會面臨的兩大主要問題。工業廢水和生活污水的排放造成水體污染,嚴重危害人類健康,尤其是芳香鹵化物、偶氮染料和硝基苯類化合物等難降解、易生物累積、致癌、致畸和致突變的有毒污染物。因此開發一種高效、快速的水處理、環境分析與檢測方法對于減緩污染、盡快發現異常、確保人類安全健康是非常重要的。另一方面,化石燃料的消耗及其造成的溫室效應,急需尋找新的能源轉化和能源存儲方法。而電催化在水處理、傳感器、能量儲存和轉化、化合物的合成轉化等領域具有重要作用。它是一種很有前景的技術,不需要消耗化學品,能量效率高,環境友好,易于操作。目前這項技術的關鍵是尋找一種電催化活性高、電流效率高、穩定和導電性好的電催化材料。
已有一些文獻(Chemosphere?2004,?56,?187-93;Appl.?Catal.?B:?Environ.?2008,?80,?327-334)和專利(專利號CN102225795A)大量報道了用于電催化的電極材料,其中比較典型的是鉑、鈀、銀、石墨以及基于這些活性組分的復合材料,但是貴金屬的稀有性和價格昂貴限制了其應用,石墨對于上述的這幾類難降解污染物的效率不夠高、穩定性差、重復利用率低。因此,開發一種快速、高效和穩定地電催化材料是非常重要的。
發明內容
本發明的目的是針對現有技術的不足,提供一種快速、高效和穩定的電催化材料用于電還原水處理、傳感器、能量儲存和轉化、化合物的合成轉化。
電催化是一種簡單、高效的降解、檢測和合成轉化方法,而缺乏性能優良的電極材料是其主要的限制因素。氮摻雜金剛石電極具有低析氫電位、強電催化能力和高化學穩定性,能彌補現有電極的不足,是一種理想的電催化電極材料。工作電極的活性與材料的表面形貌密切相關,納米金剛石陣列具有比表面積大、有利于電子傳遞等優點,這有助于提高電極的電催化效率。
一種制備氮摻雜納米金剛石的方法,包括如下步驟:
(1)基底處理:將金屬基底或Si基底或Si陣列基底(采用光刻和等離子體刻蝕相結合的方法制備)超聲清洗后,在金剛石粉中拋光5-60?min。Si基底或Si陣列基底在超聲清洗前用質量百分數為1~10%的氫氟酸(HF)浸泡1~20?min。
(2)氣相沉積:將處理好的基底放置于等離子體化學氣相沉積系統的真空反應腔內,抽真空后通入H2,以5~20℃/min的速率升溫至450~550?℃,通入體積百分數0.6~2.0%的N2和體積百分數0.8~3%的CH4,控制壓力5-7?KPa,沉積時間4~15?h;
(3)刻蝕取樣:關閉N2和CH4后,用氫等離子體刻蝕10~40?min,然后以5~20℃/min的速率降至室溫,關閉H2后取出氮摻雜納米金剛石。
按上述方法制備的氮摻雜納米金剛石可用于電催化,工作電極采用氮摻雜納米金剛石,施加恒定的電位或電流,可應用于電還原水處理、傳感器、能量儲存和轉化、化合物的合成轉化等電催化領域。
本發明具有如下特點:
1、氮摻雜納米金剛石的電催化活性高,速度快,能量效率高。?
2、氮摻雜納米金剛石的組成元素在地殼中含量豐富,而且電極非常穩定,能夠重復使用很多次,易于實現大規模應用。
3、該方法操作簡便,常溫常壓下在-0.8V~-1.5V就能進行,能耗小。
4、氮摻雜納米金剛石能制備成陣列,從增大比表面積和利于電子傳遞等兩方面進一步提高電催化活性。
附圖說明
圖1(a)是本發明的氮摻雜納米金剛石棒陣列低倍數掃描電鏡圖片。
圖1(b)是本發明的氮摻雜納米金剛石棒陣列高倍數掃描電鏡圖片。
圖2是本發明的氮摻雜納米金剛石棒陣列對濃度為20?mg/L的2,2’,4,4’-四溴聯苯醚的降解曲線,施加的工作電壓為-1.5?V(vs.Ag/AgCl)。
圖3是本發明的氮摻雜的納米金剛石在1.0?mol/L甲醇+0.1?mol/L氫氧化鉀中的伏安曲線。
圖4是本發明的氮摻雜納米金剛石將100?mg/L的硝基苯轉化為苯胺的轉化率曲線,施加的工作電壓為-0.8?V(vs.Ag/AgCl)。
具體實施方式
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





