[發明專利]三端口射頻器件的測試結構及測試方法有效
| 申請號： | 201310163729.6 | 申請日： | 2013-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN104142436B | 公開（公告）日： | 2016-10-26 |
| 發明（設計）人： | 黃景豐 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/00 | 分類號： | G01R31/00;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 端口 射頻 器件 測試 結構 方法 | ||
1.一種三端口射頻器件的測試結構，其特征在于，三端口射頻器件包括端口一、端口二和端口三，測試結構包括：
測試結構一，包括一個被測器件一，所述被測器件一為三端口射頻器件，所述被測器件一的端口一接G-S-G測試端口，所述被測器件一的端口二接G-S-G測試端口，所述被測器件一的端口三和地之間串聯電阻三；
測試結構二，包括一個被測器件二，所述被測器件二為一和所述被測器件一相同的三端口射頻器件，所述被測器件二的端口一接G-S-G測試端口，所述被測器件二的端口三接G-S-G測試端口，所述被測器件二的端口二和地之間串聯電阻二；
測試結構三，包括一個被測器件三，所述被測器件三為一和所述被測器件一相同的三端口射頻器件，所述被測器件三的端口二接G-S-G測試端口，所述被測器件三的端口三接G-S-G測試端口，所述被測器件三的端口一和地之間串聯電阻一；
測試結構四，包括一個被測電阻，所述被測電阻的端口一接G-S-G測試端口，所述被測電阻的端口二接G-S-G測試端口，且所述被測電阻的端口一和對應的G-S-G測試端口的信號端通過連線一連接、所述被測電阻的端口二和對應的G-S-G測試端口的信號端通過連線二連接；
測試結構五，為所述測試結構四的開路去嵌結構，所述測試結構五和所述測試結構四相比，所述測試結構五僅設置有兩個G-S-G測試端口，且所述測試結構五中的兩個G-S-G測試端口之間的相對位置和所述測試結構四中的兩個G-S-G測試端口的相對位置相同，所述測試結構五的兩個G-S-G測試端口之間沒有設置所述被測電阻、所述連線一和所述連線二；
測試結構六，為所述測試結構四的直通去嵌結構一，所述測試結構六設置有兩個G-S-G測試端口、以及連接兩個G-S-G測試端口的信號端的連線三，所述連線三的長度和所述連線一的長度相同；
測試結構七，為所述測試結構四的直通去嵌結構二，所述測試結構七設置有兩個G-S-G測試端口、以及連接兩個G-S-G測試端口的信號端的連線四，所述連線四的長度和所述連線二的長度相同；
所述測試結構四、所述測試結構五、所述測試結構六和所述測試結構七組成一套電阻測試結構，所述電阻測試結構包括三套，電阻測試結構一中的被測電阻和所述電阻一相同，電阻測試結構二中的被測電阻和所述電阻二相同，電阻測試結構三中的被測電阻和所述電阻三相同。
2.如權利要求1所述的三端口射頻器件的測試結構，其特征在于：所述電阻一、所述電阻二和所述電阻三的阻值相同且大于1歐姆。
3.如權利要求2所述的三端口射頻器件的測試結構，其特征在于：所述電阻測試結構一、所述電阻測試結構二和所述電阻測試結構三相同，所述電阻測試結構由所述電阻測試結構一、所述電阻測試結構二和所述電阻測試結構三中的任意一套組成、其它兩套省略。
4.如權利要求1或2或3所述的三端口射頻器件的測試結構，其特征在于：所述連線一的長度大于100微米，所述連線二的長度大于100微米。
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