[發明專利]一種TSV露頭工藝有效
| 申請號： | 201310163510.6 | 申請日： | 2013-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN103219282A | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發明（設計）人： | 顧海洋;張文奇;宋崇申 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐靈;常亮 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tsv 露頭 工藝 | ||
1.一種TSV露頭工藝，其特征在于，包括步驟：
提供一具有TSV結構的半導體襯底；
對上述半導體襯底的背面進行一機械研磨工藝；
對半導體襯底背面進行第一次化學機械拋光工藝，該第一次化學機械拋光工藝采用無選擇比的拋光液將半導體襯底背面拋光至距離TSV底部不超過1μm處，拋光后襯底表面的TTV小于1μm；
對半導體襯底背面進行第二次化學機械拋光工藝，該第二次化學機械拋光工藝采用對半導體襯底、TSV介質層、TSV阻擋層高選擇比的拋光液進行；
對半導體襯底背面進行濕法或干法刻蝕，使TSV露出10μm以上。
2.如權利要求1所述的TSV露頭工藝，其特征在于：所述第二次化學機械拋光工藝中采用的拋光液，其對半導體襯底和TSV介質層之間的選擇比為10：1至100：1，TSV介質層與TSV阻擋層之間的選擇比超過200：1。
3.如權利要求1所述的TSV露頭工藝，其特征在于：所述第二次化學機械拋光工藝中采用的拋光液氫氟酸和硝酸混合體系、氫氟酸，TMAH體系或氫氧化鉀。
4.如權利要求3所述的TSV露頭工藝，其特征在于：所述氫氟酸和硝酸混合體系中氫氟酸和硝酸的體積百分比的范圍在1：5到1：25之間，所述TMAH體系的重量百分比為3w%-30w%。
5.如權利要求1所述的TSV露頭工藝，其特征在于：所述第二次化學機械拋光工藝后，TSV的露頭高度在0.2μm-0.5μm之間。
6.如權利要求1所述的TSV露頭工藝，其特征在于：所述半導體襯底的材質為硅、鍺、氮化鎵或砷化鎵。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
