[發明專利]柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法

無效

• 申請號: 201310163419.4
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103227250A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 程滟;詹騰;郭金霞;李璟;劉志強;伊曉燕;王國宏;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，包括：

步驟1：選擇一外延結構，該外延結構包括在圖形襯底上依次生長的非故意摻雜氮化鎵層、N型GaN層、量子阱層和P型GaN層；

步驟2：在P型GaN層上形成一透明電極層；

步驟3：采用光刻的方法在透明電極層上形成圖形掩膜，在透明電極層上選擇性向下刻蝕，刻蝕深度到達N型GaN層內，在N型GaN層上形成凹槽；

步驟4：在透明電極層的表面及凹槽內制作絕緣介質層，在絕緣介質層上制作圖形掩膜，在凹槽底部向下選擇性刻蝕，刻蝕深度至圖形襯底的表面，形成隔離的深槽，被深槽隔離后的獨立單元為微晶粒；

步驟5：在深槽兩側的側壁上制作絕緣介質層，形成基片；

步驟6：在基片的表面制作一層柔性透明導電層；

步驟7：采用光刻的方法，去掉絕緣介質層以外的柔性透明導電層，使其將各獨立單元的微晶粒的N型GaN層和其相鄰微晶粒的透明電極層連接起來；

步驟8：在透明電極層上制備P電極；

步驟9：在凹槽內的N型GaN層上制備N電極，完成制備。

2.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述的圖形襯底為藍寶石、碳化硅、氮化鎵或硅的圖形化材料。

3.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述的透明電極層的材料為氧化銦錫或氧化鋅。

4.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述的在透明電極層的表面及凹槽內制作的絕緣介質層的材料為氧化硅、氮化硅或氧化鋁。

5.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述的凹槽的數量為2-20。

6.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述的絕緣介質層的材料為氧化硅、氮化硅或氧化鋁。

7.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述的柔性透明導電層的材料為石墨烯或碳納米管的單層或多層薄膜。

8.根據權利要求1所述的柔性透明導電層互聯的陣列式LED器件制作方法，其中所述去掉絕緣介質層以外的柔性透明導電層的方法為等離子體處理法，采用的氣體為O₂或N₂，處理時間為1-20分鐘，功率范圍為100-200W。