[發明專利]高生產量CMP平臺

在審

• 申請號: 201310163387.8
• 申請日: 2013-05-06
• 公開（公告）號: CN103962935A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 吳健立;沈憲聰;黃循康;黃正吉;楊棋銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/013;B24B37/34
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種化學機械拋光系統，包括：

第一拋光裝置，包括第一拋光盤和第一CMP頭，其中，所述第一CMP頭被配置成當工件被放置在所述第一拋光盤上時對所述工件實施第一化學機械拋光；

第二拋光裝置，包括第二拋光盤和第二CMP頭，其中，所述第二CMP頭被配置成當所述工件被放置在所述第二拋光盤上時對所述工件實施第二化學機械拋光；

再加工拋光裝置，包括再加工拋光盤和再加工CMP頭，其中，所述再加工CMP頭被配置成當所述工件被放置在所述再加工拋光盤上時對所述工件實施輔助化學機械拋光；

測量裝置，被配置成測量所述工件的一個或多個參數；

傳送裝置，被配置成在所述第一拋光裝置、所述第二拋光裝置、所述再加工拋光裝置以及所述測量裝置中的兩個或更多個裝置之間傳送所述工件；以及

控制器，被配置成僅當所述測量裝置所測量的所述一個或多個參數不符合要求時，經由所述傳送裝置將所述工件選擇性地傳送到所述再加工拋光裝置。

2.根據權利要求1所述的化學機械拋光系統，進一步包括：加載裝置，所述加載裝置被配置成在多個FOUP之一和所述傳送裝置之間傳送所述工件。

3.根據權利要求1所述的化學機械拋光系統，進一步包括：清潔裝置，所述清潔裝置被配置成從所述工件清理拋光殘留物，其中，所述傳送裝置進一步被配置成在所述清潔裝置與所述第一拋光裝置、所述第二拋光裝置和所述再加工拋光裝置中的一個或多個裝置之間傳送所述工件。

4.根據權利要求1所述的化學機械拋光系統，其中，所述第一拋光裝置和第二拋光裝置總體上限定拋光臺。

5.根據權利要求4所述的化學機械拋光系統，其中，所述化學機械拋光系統包括多個拋光臺。

6.根據權利要求1所述的化學機械拋光系統，其中，所述第一拋光盤和第二拋光盤均被配置成同時支撐多個工件，其中，所述第一拋光裝置和第二拋光裝置均被配置成同時化學機械拋光相應的所述多個工件。

7.根據權利要求1所述的化學機械拋光系統，其中，所述傳送裝置包括機器人，所述機器人被配置成經由雙臂處理裝置選擇性地傳送兩個或更多工件。

8.根據權利要求7所述的化學機械拋光系統，其中，所述機器人進一步可操作地連接至軌道，所述機器人被配置成沿著所述第一拋光裝置、所述第二拋光裝置、所述再加工拋光裝置、所述測量裝置、清潔裝置以及負載鎖定室中的兩個或更多個裝置之間的軌道平移。

9.一種用于化學機械拋光多個工件的方法，所述方法包括：

將工件放置在第一拋光盤上；

經由第一CMP頭以粗拋光方式來拋光放置在所述第一拋光盤上的工件；

將所述工件放置在第二拋光盤上；

經由第二CMP頭以細拋光方式來拋光放置在所述第二拋光盤上的所述工件；

測量與所述工件的表面相關聯的一個或多個參數；

確定所述一個或多個參數是否符合要求；以及

如果所述一個或多個參數不符合要求，則將所述工件放置在再加工拋光盤上，經由再加工CMP頭在所述再加工拋光盤上進一步拋光所述工件，其中，在所述再加工拋光盤上進一步拋光所述工件不會影響到達所述第一拋光盤和所述第二拋光盤的其他工件的生產量。

10.一種用于提供半導體工藝控制的計算機程序產品，所述計算機程序產品具有其上包含計算機程序的介質，所述計算機程序包括用于以下步驟的計算機程序代碼：

將工件放置在第一拋光盤上；

經由第一CMP頭以粗拋光方式來拋光放置在所述第一拋光盤上的所述工件；

將所述工件設置在第二拋光盤上；

經由第二CMP頭以細拋光方式來拋光放置在所述第二拋光盤上的所述工件；

測量與所述工件的表面相關聯的一個或多個參數；

確定所述一個或多個參數是否符合要求；以及

如果所述一個或多個參數不符合要求，則將所述工件放置在再加工拋光盤上，經由再加工CMP頭在所述再加工拋光盤上進一步拋光所述工件，其中，進一步拋光所述再加工拋光盤上的所述工件不會影響到達所述第一拋光盤和所述第二拋光盤的附加工件的生產量。