[發明專利]制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法有效
| 申請號: | 201310162449.3 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103227243A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 王家雄 | 申請(專利權)人: | 王家雄 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市金筆知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44297 | 代理人: | 胡清方;彭友華 |
| 地址: | 美國加利福尼亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 銅銦鎵硒 薄膜 太陽能電池 生產 方法 | ||
1.制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,包括:
(1)、在柔性基板的一側表面,用真空濺射法沉積厚度為大于等于100納米小于等于2000納米的鉬層,以及一層厚度為大于等于5納米小于等于400納米的鈮附加層;
(2)、在鈮附加層的表面電鍍多層銅、銦、鎵和/或硒單元素層,或銅、銦、鎵和/或硒之間構成的合金層,和/或單元素層與合金層的混合層;
(3)、真空蒸發一層或多層硒,以及一層鈉、鉀或鋰鹽,于電鍍的銅銦鎵多層的表面或銅銦鎵硒多層的表面;
(4)、將已鍍有銅銦鎵硒多層的基材在惰性氣體氣氛中,在350攝氏度至750攝氏度的恒定溫度下淬火,以獲得一個符合化學計量的均相的銅銦鎵硒吸收層;
(5)、通過化學浴沉積方法沉積一層厚度在30至300納米的硫化鎘、硫化銦或硫化鋅作為在銅銦鎵硒吸收層之上的緩沖層;
(6)、真空濺射一層大于等于50納米小于等于400?納米的高阻抗透明導電氧化物,包括但不僅限于氧化鋅(ZnO)、二氧化錫(SnO2),然后再濺射一層大于等于50?納米小于等于400?納米的低阻抗透明導電氧化物,包括但不僅限于氧化銦錫(ITO)或氧化鋁鋅(AZO)于緩沖層的表面作為窗口層。
2.根據權利要求1所述的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:在所述第(1)步之前還設有柔性基板的清洗步驟,包括將基板連續性地傳送入一臺具有超聲波能力的清洗機中,?并在加熱的清洗劑溶液中經超聲波洗滌后再在去離子水中超聲波漂洗并干燥后,?清潔的卷將被轉移到下一步驟。
3.根據權利要求1所述的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:在所述第(6)步之后還設有絲網印刷導電銀漿于透明導電氧化物窗口層的表面形成金屬珊線步驟。
4.根據權利要求3所述的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:在完成金屬珊線之后,還設有將完成的電池卷切成單電池片,?測量它們的轉換率并且將其分撿入不同轉換率組的步驟。
5.根據權利要求1中的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:?所述的基材是連續性且柔性的不銹鋼、鋁合金、鉬、鈦金屬薄板卷材。
6.根據權利要求1中的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:所述金屬薄板卷材的厚度在?0.02?和0.2?毫米之間。
7.根據權利要求1中的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:所述的基材是或厚度在?0.1?和5?毫米之間的耐高溫高分子或塑料卷材。
8.根據權利要求1中的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:所述的基材寬度在?0.1和2米之間。
9.根據權利要求6或7中的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:所述的基材傳送速度為每分鐘0.3?到3?米。
10.根據權利要求1中的制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的卷對卷生產方法,其特征在于:在權利要求1第(6)步中所述真空濺射一層氧化鋅或二氧化錫是將氧化鋅或二氧化錫靶在氬氣氛中進行濺射,或使用鋅或錫靶在氧氣與氬氣的混合氣氛中進行濺射以形成氧化鋅及二氧化錫薄膜的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





