[發明專利]一種OLED微型顯示器的制備方法無效
| 申請號: | 201310162003.0 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103258972A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 楊麗麗;段瑜;楊煒平;朱亞安;季華夏 | 申請(專利權)人: | 云南北方奧雷德光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 昆明祥和知識產權代理有限公司 53114 | 代理人: | 和琳 |
| 地址: | 650223 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 微型 顯示器 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光領域,尤其是一種取消光刻膠工序,簡化OLED顯示器制作過程,同時能保證器件性能,節約生產成本和時間,提高生產效率的OLED微型顯示器的制備方法。
背景技術
OLED微型顯示器制備過程中,先制備讀出電路,再在讀出電路上采用掩膜版的方式只在顯示器的發光區域上順序蒸鍍金屬電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和密封薄膜層。讀出電路上有諸多的PAD接口,待器件制備完成以后,通過焊線引出接口,焊線引出是器件制備的最后一道工藝,為了保證PAD在諸多的工藝中不受到影響,于是需要在進行工藝制備之前就需要將PAD接口保護起來,原來保護PAD接口的方法是在制備好金屬電極之后,通過光刻涂膠顯影的方式用光刻膠遮擋住PAD接口,待器件制備完成之后,再通過激光束打在PAD區域后,被PAD表面的光刻膠所吸收,光刻膠吸收能量后形成急劇膨脹的等離子體而產生沖擊波,沖擊波將光刻膠燒蝕成粉末,隨之帶動光刻膠上的其他鍍膜層材料一起被燒蝕,從而達到清洗PAD的效果,如發明專利“有機發光顯示器接口清洗工藝”,專利號:ZL?200810233757X。但是在保護PAD的光刻涂膠顯影工藝中就會帶來一些問題,一是金屬電極薄膜會在涂膠顯影的過程中不耐堿性顯影液腐蝕,二則是在顯影過程中,會發生諸多化學反應,難以精確控制,顯影不充分會導致光刻膠殘留,顯影過度則會導致金屬電極腐蝕嚴重,使得顯示器發光亮度降低,同時還會引入金屬氧化物顆粒,這些殘留的顆粒會引入氧氣和水汽,逐漸氧化有機發光層,最終引起器件失效,于是取消PAD接口的光刻膠保護工藝顯得非常必要。
發明內容
本發明所要解決的是原有技術中通過光刻膠對PAD接口進行保護,容易腐蝕金屬電極薄膜,影響顯示器發光亮度,甚至引起器件失效的問題,提供了一種取消光刻膠工序,簡化OLED顯示器制作過程,同時能保證器件性能的OLED微型顯示器的制備方法。
本發明的一種OLED微型顯示器的制備方法,OLED微型顯示器包括硅片、形成在硅片上的顯示器發光區域以及制備在硅片上的PAD接口,及在顯示器發光區域上蒸鍍的金屬電極層,其特征在于該制備方法先用有機薄膜在PAD接口上形成一層底膜,再采用掩膜版的方式在PAD接口及顯示器發光區域上蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和密封薄膜層等蒸鍍層,蒸鍍層在PAD接口上形成保護膜層,之后再采用特定波長的激光轟擊PAD接口,去除PAD接口上的底膜以及蒸鍍層,暴露出干凈的PAD接口,具體步驟如下:
(1)在制備好PAD接口的硅片上采用掩膜版的方式只在顯示器發光區域上蒸鍍金屬電極,金屬電極的厚度為0.5-100nm,同樣采用掩膜版的方式在PAD接口上蒸鍍一層有機薄膜作為底膜;
(2)采用掩膜版的方式在PAD接口處和顯示器的發光區域上順序蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和密封薄膜層等蒸鍍層;
(3)采用激光轟擊覆蓋在PAD接口上的底膜和保護膜層,暴露出PAD接口,之后對PAD接口進行焊接封裝,完成一個OLED微型顯示器的制備工作。
所述的蒸鍍層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和密封薄膜層,其中空穴注入層材料為CuPc、MoO3、1-TNATA、2-TNATA中的任意一種,厚度為5-30nm;空穴傳輸層材料為NPB、Spiro-TAD、TDAB中的任意一種,厚度為5-30nm;發光層材料為Alq3、DPVBi、PVK中的任意一種,厚度為10-50?nm;電子傳輸層為Bphen、BCP、PBD中的任意一種,厚度為5-30?nm;電子注入層材料為LiF、Li2O、Li:Alq3中的任意一種,厚度為1-10?nm;陰極層材料為Al、Mg:Ag中的任意一種,厚度為1-10nm;密封薄膜層材料為Al2O3、SiN、SiO2中的任意一種,厚度為50-?3000nm。
所述的保護膜層厚度為50nm-3200nm。
所述的激光為248nm的KrF激光。
所述的底膜為有機材料,采用空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層或電子注入層中的任意一種有機材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





