[發明專利]超低壓升壓系統及其控制方法有效
| 申請號: | 201310161973.9 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103219894A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 史軍剛;李小平;劉彥明;謝楷;郭世忠;黎劍兵;方建平 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 西安西達專利代理有限責任公司 61202 | 代理人: | 劉華 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低壓 升壓 系統 及其 控制 方法 | ||
1.一種超低壓升壓系統,其特征在于包括開路電壓采樣保持器(102)、極性檢測與控制信號發生器(103)、一級開關管(104)、反激變壓器(105)、整流橋(106)、儲能元件(107)和單片機(108),所述的開路電壓采樣保持器(102)同微弱能量的輸出源或換能器(101)相連接,另外開路電壓采樣保持器(102)還同單片機(108)、極性檢測與控制信號發生器(103)以及反激變壓器(105)相連接,所述的一級開關管(104)同極性檢測與控制信號發生器(103)以及反激變壓器(105)相連接,反激變壓器(105)同整流橋(106)相連接,整流橋(106)同儲能元件(107)相連接。
2.根據權利要求1所述的超低壓升壓系統,其特征在于所述的單片機(108)采用微功耗芯片,另外單片機(108)也能由其他具有處理功能的芯片替代;一級開關管(104)采用輸入電容Ciss小于235pF并且導通電阻RDS(ON)?小于90mΩ的MOS管;反激變壓器(105)采用EI磁芯并選擇適配的電感值使超低壓升壓系統能夠工作在斷續或臨界模式;整流橋(106)的四個二極管選擇導通壓降低于0.4V的二極管。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的超低壓升壓系統,其特征在于所述的開路電壓采樣保持器(102)包括開路電壓采樣器(201)、保持信號HOLD控制用開關管(202)、分壓器(203)和保持電容(204),所述的開路電壓采樣器(201)同保持信號HOLD控制用開關管(202)和分壓器(203)相連接,所述的保持電容(204)也同保持信號HOLD控制用開關管(202)和分壓器(203)相連接,所述的開路電壓采樣器(201)包括相互連接的開路電壓采樣器用開關管(Q2)和開路電壓采樣器用電容(C1);所述的分壓器(203)包括相互連接的分壓器用第一開關管(Q4)和分壓器用電容(C2)相連接,該分壓器用電容(C2)還與分壓器用第二開關管(Q3)相連接。
4.根據權利要求3所述的超低壓升壓系統,其特征在于所述的極性檢測與控制信號發生器(103)包括正壓和負壓檢測器(301)、通道切換橋(302)和遲滯比較器(303),正壓和負壓檢測器(301)同通道切換橋(302)相連接,通道切換橋(302)同遲滯比較器(303)相連接,所述的正壓和負壓檢測器(301)包括順次連接的正壓和負壓檢測器用比較器(V1)、正壓和負壓檢測器用第一電阻(R1)、正壓和負壓檢測器用MOS管(Q0)以及正壓和負壓檢測器用第二電阻(R2),所述的通道切換橋(302)包括通道切換橋用第一MOS管(O1),通道切換橋用第一MOS管(O1)同通道切換橋用第二MOS管(O2)和通道切換橋用第三MOS管(O3)相連接,通道切換橋用第四MOS管(O4)也同通道切換橋用第二MOS管(O2)和通道切換橋用第三MOS管(O3)相連接,所述的遲滯比較器(303)包括運算放大器(V2),該運算放大器(V2)同遲滯比較器用第一電阻(R3),遲滯比較器用第二電阻(R5)以及可調電阻(R4)相連接,遲滯比較器用第二電阻(R5)串接有遲滯比較器用電容(C11)。
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