[發明專利]一種PECVD鍍膜系統有效
| 申請號: | 201310161928.3 | 申請日: | 2013-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN103276369A | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 何祝兵;蘇奇聰;王春柱;劉傳生 | 申請(專利權)人: | 南方科技大學 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pecvd 鍍膜 系統 | ||
1.一種PECVD鍍膜系統,其特征在于,包括工藝系統、裝卸系統、及閥門機構;
所述工藝系統包括工藝腔體及至少一個工藝反應室;所述工藝反應室設置在工藝腔體內,用于對基片進行鍍膜;所述工藝反應室具有一朝向所述裝卸腔體的開口,所述工藝反應室的開口處均設有密封門,用于工藝反應室與工藝腔體的連通或隔離;
所述裝卸系統包括裝卸腔體及傳輸機械手;傳輸機械手滑動設置在裝卸腔體與工藝腔體之間,用于基片的上下料及傳輸;
所述閥門機構設置在所述工藝腔體與所述裝卸腔體之間,用于工藝腔體與裝卸腔體之間的連通或隔離。
2.根據權利要求1所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述工藝反應室、所述工藝腔體及所述裝卸腔體分別連接有單獨的真空系統,分別進行真空處理。
3.根據權利要求1所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述工藝系統還包括用于對所述工藝反應室的內壁進行清洗的遠程等離子體源清洗系統,所述遠程等離子體源清洗系統連接至所述工藝反應室。
4.根據權利要求1所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述工藝反應室為兩個或兩個以上,所述工藝反應室間相互獨立且層疊設置;各所述工藝反應室均設有所述密封門;
所述工藝系統還包括控制所述密封門開關的連桿機構,所述連桿機構包括連桿及動力裝置,所述連桿沿所述工藝反應室的層疊排布方向設置,各所述密封門均連接至所述連桿,所述連桿連接至所述動力裝置,所述動力裝置設置在所述工藝腔體內并用于帶動所述連桿移動使所述密封門開關。
5.根據權利要求4所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述連桿機構還包括相互平行的主動轉軸和從動轉軸,且所述主動轉軸和所述從動轉軸的軸向均垂直于所述連桿的軸向;所述連桿的兩端分別鉸接有曲柄及搖桿,所述曲柄及搖桿分別固定連接至所述主動轉軸和所述從動轉軸,所述從動轉軸連接至所述動力裝置,在所述動力裝置的驅動下轉動,并帶動所述連桿移動實現所述密封門的開關。
6.根據權利要求1所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述工藝反應室為兩個或兩個以上,所述工藝反應室間相互獨立且層疊排布設置;所述閥門機構包括固定板、腔體密封門、及用于開關腔體密封門的閥門動力裝置,所述固定板上設有與所述工藝反應室的開口一一對應的閥門孔,所述腔體密封門與所述閥門孔一一對應配合且連接至閥門動力裝置;
所述閥門動力裝置包括聯動組件及閥門驅動件;所述聯動組件包括主動桿、從動桿、第一連接件、第二連接件及壓簧,所述主動桿與從動桿的軸向均平行于所述工藝反應室的層疊排布方向;所述主動桿連接至所述閥門驅動件,并在所述閥門驅動件的驅動下沿自身軸向平移;所述第一連接件的一端鉸接至所述主動桿、另一端鉸接至所述從動桿,所述第二連接件的一端鉸接至所述從動桿,另一端鉸接至所述固定板;所述第一連接件與所述第二連接件各鉸接點的轉軸相互平行;所述腔體密封門通過所述壓簧連接至所述從動桿。
7.根據權利要求1所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述傳輸機械手包括支撐架及至少一層用于承載基片的承載手臂層,所述承載手臂層包括至少兩個承載手臂,所述承載手臂為長條形,且沿所述工藝反應室的開口方向設置,其遠離所述工藝腔體的一端與所述支撐架固定連接;所述支撐架滑動設置于所述裝卸腔體;所述裝卸腔體內設有連接至所述支撐架的傳輸動力裝置,用于帶動所述傳輸機械手直線往復運動。
8.根據權利要求7所述的PECVD鍍膜系統,其特征在于,所述裝卸腔體的側面內壁上設置有用于對基片進行定位的基片定位機構;所述基片定位機構包括支架、及帶動支架平移的驅動件;
所述支架的平移方向為水平向且垂直于所述承載手臂的長度方向;所述支架上設置有導向層,所述導向層與所述承載手臂層一一對應,所述導向層包括至少兩個第一定位柱;所述第一定位柱的軸向平行于支架的平移方向,其一端固定至支架;另一端設有導向滑輪;所述導向滑輪的轉動軸向為豎直向;各所述第一定位柱上的導向滑輪排布于同一直線上;
所述承載手臂層上設有至少兩個沿直線排布的第二定位柱,各所述導向滑輪的排布直線與所述第二定位柱的排布直線相互垂直,構成一個用于基片的整形定位限位直角線。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





