[發明專利]一種提高耗盡型硅基電光調制器調制效率的摻雜結構

有效

• 申請號: 201310161729.2
• 申請日: 2013-05-06
• 公開（公告）號: CN103226252A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 曹彤彤;陳少武
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種提高耗盡型硅基電光調制器調制效率的摻雜結構，其特征在于，該摻雜結構包括一硅基電光調制器調制區波導，該波導為脊型光波導結構，在該波導內分別有第一摻雜區域、第二摻雜區域、第三摻雜區域和第四摻雜區域，其中在該第二摻雜區域與第三摻雜區域的交界處形成類似U形的PN結電學調制結構，第一摻雜區域和第四摻雜區域分別接金屬導線并與高頻驅動電路相連接。

2.根據權利要求1所述的提高耗盡型硅基電光調制器調制效率的摻雜結構，其特征在于，該波導采用的材料為硅或SOI材料，具有載流子色散效應。

3.根據權利要求1所述的提高耗盡型硅基電光調制器調制效率的摻雜結構，其特征在于，第一、第二、第三、第四摻雜區域分別為P++、P+、N+、N++區。

4.根據權利要求1所述的提高耗盡型硅基電光調制器調制效率的摻雜結構，其特征在于，第一、第二、第三、第四摻雜區域分別為N++、N+、P+、P++區。

5.根據權利要求1所述的提高耗盡型硅基電光調制器調制效率的摻雜結構，其特征在于，其光學結構可以采用微環諧振腔或者馬赫曾德干涉儀，電光調制器工作在載流子耗盡狀態。