[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310159593.1
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN103383935B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 崔炳德;徐廷宇;韓相然;鄭鉉雨;金弘來;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 陳源,張帆

1.一種半導體器件，包括：

一對線路圖案，其布置在襯底上；

接觸插塞，其布置在所述一對線路圖案之間；

空氣間隙，其布置在所述接觸插塞與每個所述線路圖案之間；

接合焊盤，其從所述接觸插塞的頂端延伸以覆蓋所述空氣間隙的第一部分；

絕緣層，其布置在所述空氣間隙未被所述接合焊盤覆蓋的第二部分上；以及

一對絕緣圍欄，其布置在所述一對線路圖案之間，

其中所述接觸插塞布置在所述一對線路圖案之間并布置在所述一對絕緣圍欄之間；并且

其中所述接觸插塞的底部表面在平面圖中具有四邊形。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述空氣間隙被所述接合焊盤覆蓋的第一部分的高度大于所述空氣間隙未被所述接合焊盤覆蓋的第二部分的高度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一保護隔離物，其布置在每個所述線路圖案與所述接觸插塞之間；以及

第二保護隔離物，其布置在所述接觸插塞與所述第一保護隔離物之間，

其中所述空氣間隙布置在所述第一保護隔離物與所述第二保護隔離物之間。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一保護隔離物和所述第二保護隔離物在所述接合焊盤之下的頂端彼此接觸，使得所述空氣間隙的第一部分的頂端被所述第一保護隔離物和所述第二保護隔離物在所述接合焊盤之下的頂端閉合。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述空氣間隙的第一部分的頂端被所述接合焊盤閉合。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述空氣間隙在平面圖中具有圍繞所述接觸插塞的閉環形狀。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中布置在所述接觸插塞與每個所述線路圖案之間的空氣間隙沿著每個所述線路圖案的縱向方向延伸。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

選擇組件，其在所述襯底上位于所述一對線路圖案之下；以及

數據存儲部，其電連接到所述接合焊盤的頂部表面，

其中每個所述線路圖案包括導電線；

其中所述一對線路圖案之一的導電線電連接到所述選擇組件的第一端；并且

其中所述數據存儲部通過所述接合焊盤和所述接觸插塞電連接到所述選擇組件的第二端。

9.一種半導體器件，包括：

一對線路圖案，其布置在襯底上；

接觸插塞，其布置在所述一對線路圖案之間；以及

隔離物結構，其布置在所述接觸插塞與每個所述線路圖案之間，

其中所述隔離物結構包括：

第一保護隔離物，其與每個所述線路圖案相鄰；

第二保護隔離物，其與所述接觸插塞的側壁相鄰；以及

空氣間隙，其布置在所述第一保護隔離物與所述第二保護隔離物之間，

其中所述第二保護隔離物延伸以圍繞所述接觸插塞的側壁并且在平面圖中具有閉環形狀；并且

其中所述空氣間隙延伸以圍繞所述接觸插塞的側壁并且在平面圖中具有閉環形狀。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述第一保護隔離物具有沿著每個所述線路圖案的側壁延伸的線形。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：

一對絕緣圍欄，其布置在所述一對線路圖案之間，

其中所述接觸插塞布置在所述一對線路圖案之間并布置在所述一對絕緣圍欄之間；并且

其中所述空氣間隙的延伸部分布置在所述第二保護隔離物的延伸部分與每個所述絕緣圍欄之間。