[發(fā)明專利]半導體封裝及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310159530.6 | 申請日: | 2013-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN103383927A | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸辰遇;李錫賢 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/528;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 屈玉華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 及其 形成 方法 | ||
技術領域
發(fā)明構思涉及半導體封裝及其形成方法。
背景技術
傳統(tǒng)上,電子工業(yè)期望具有低制造成本的更小且更輕的半導體封裝。此外,已經(jīng)開發(fā)了許多種半導體封裝以在各種應用中使用。例如,可以通過在印刷電路板(PCB)上安裝半導體芯片、執(zhí)行模制工藝、然后將焊球接合到PCB的底部而形成球柵陣列(BGA)封裝。BGA封裝通常需要模制工藝和PCB,使得難以減小BGA封裝的厚度。
已經(jīng)提出了晶片級封裝(WLP),用于處理BGA封裝的上述缺點。在WLP封裝中,再分布層可以形成在半導體芯片的底部上。在WLP封裝中可以不需要模制工藝和PCB。因此,WLP封裝可以利用簡單工藝形成,具有減小的厚度。然而,由于WLP封裝的尺寸非常小,所以WLP封裝會存在其他的問題。
發(fā)明內容
在一些實施方式中,半導體封裝包括第一半導體芯片,該第一半導體芯片包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一半導體芯片具有第一導電圖案和覆蓋第一表面且具有開口以暴露第一導電圖案的第一鈍化層。該半導體封裝還包括:緩沖層,覆蓋第一半導體芯片的頂表面和側壁;模制層,覆蓋緩沖層;和第一再分布層,設置在第一鈍化層的底表面上。第一再分布層電連接到第一導電圖案。
在一些實施方式中,第一再分布層可與第一鈍化層直接接觸。
在一些實施方式中,半導體封裝包括:半導體芯片,包括彼此相反的第一表面和第二表面,半導體芯片具有導電圖案和鈍化層,鈍化層覆蓋第一表面且具有暴露導電圖案的開口;緩沖層,基本上覆蓋半導體芯片的整個側壁;模制層,覆蓋緩沖層;以及再分布層,設置在鈍化層的底表面上,再分布層電連接到導電圖案。
在一些實施方式中,半導體封裝包括:半導體芯片,具有焊盤;鈍化層,形成在半導體芯片上,鈍化層具有暴露出焊盤的開口;緩沖層,覆蓋半導體芯片;模制層,覆蓋緩沖層;以及再分布層,電連接到焊盤,其中再分布層與鈍化層直接接觸。
在一些實施方式中,半導體封裝的形成方法包括:將包括第一導電圖案的第一半導體芯片放置在載體上;形成覆蓋第一半導體芯片的頂表面和側壁的緩沖層;在緩沖層上形成模制層;使第一半導體芯片與載體分離;以及在第一半導體芯片的底表面上形成電連接到第一導電圖案的第一再分布層。
在一些實施方式中,半導體封裝的形成方法包括:在載體上放置多個半導體芯片,每個半導體芯片包括具有開口以暴露焊盤的鈍化層;用緩沖層涂敷多個半導體芯片,使得多個半導體芯片的基本上所有側壁被緩沖層覆蓋;形成位于緩沖層上的模制層;以及形成電連接到多個半導體芯片中相應的一個的焊盤的再分布層。
附圖說明
考慮到附圖和隨后的詳細描述,發(fā)明構思將變得更明顯。
圖1是示出根據(jù)發(fā)明構思的第一實施例的半導體封裝的截面圖;
圖2和圖3是圖1的部分“A”的放大視圖;
圖4至圖11是示出圖1的半導體封裝的形成方法的截面圖;
圖12是示出圖1的半導體封裝的變型示例的截面圖;
圖13是示出根據(jù)發(fā)明構思的第二實施例的半導體封裝的截面圖;
圖14至圖19是示出圖13的半導體封裝的形成方法的截面圖;
圖20是示出根據(jù)發(fā)明構思的第三實施例的半導體封裝的截面圖;
圖21至圖25是示出圖20的半導體封裝的形成方法的截面圖;
圖26和圖27是示出圖20的半導體封裝的變型示例的截面圖;
圖28是示出根據(jù)發(fā)明構思的第四實施例的半導體封裝的截面圖;
圖29是示出包括根據(jù)發(fā)明構思實施例的半導體封裝的封裝模塊示例的示意圖;
圖30是示出包括根據(jù)發(fā)明構思實施例的半導體封裝的電子裝置示例的示意框圖;以及
圖31是示出包括根據(jù)發(fā)明構思實施例的半導體封裝的存儲系統(tǒng)示例的示意框圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明構思,在附圖中示出發(fā)明構思的示范實施例。通過參考附圖將在以下更詳細地描述的示范實施例,發(fā)明構思的優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)這些優(yōu)點和特征的方法將變得明顯。然而,應當注意,發(fā)明構思不限于以下的示范實施例,而是可以以各種形式實現(xiàn)。因此,提供示范實施例僅用于公開發(fā)明構思并讓本領域技術人員了解發(fā)明構思的種類。在附圖中,發(fā)明構思的實施例不限于在此提供的具體示例,并且為了清楚而被夸大。
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