[發明專利]發光二極管芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 201310158810.5
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103280499B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發明（設計）人: 郝茂盛;袁根如;陳誠;陶淳;朱廣敏;張楠;楊杰
• 申請（專利權）人: 上海藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46;H01L33/38
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，所述發光二極管芯片的制造方法至少包括以下步驟：

1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導體層、發光層及P型半導體層；

2)對所述基板進行部分刻蝕，在所述基板中形成一凹陷區域，所述凹陷區域底部到達所述N型半導體層中；

3)在步驟2)形成的結構上沉積光反射層，并對所述光反射層進行刻蝕，在所述P型半導體層上形成P電極區光反射層及P電極引線區光反射層、在所述凹陷區域的N型半導體層上形成N電極區光反射層及N電極引線區光反射層，然后進行退火處理；

4)在其余P型半導體層、所述P電極區光反射層及所述P電極引線區光反射層上形成透明導電層，所述透明導電層覆蓋所述P電極區光反射層及所述P電極引線區光反射層；

5)在所述透明導電層上制作P電極及P電極引線，在所述凹陷區域的N型半導體層上制作N電極及N電極引線；所述P電極與所述P電極區光反射層相對，所述P電極引線與所述P電極引線區光反射層相對；所述N電極覆蓋所述N電極區光反射層并與N型半導體層接觸，所述N電極引線與所述N電極連接的前段部分形成于所述N電極引線區光反射層上，后段部分形成于所述N型半導體層上；位于所述N電極引線區光反射層上的N電極引線與所述N電極引線區光反射層在水平面上的投影面積百分比為y₁，其中50％≤y₁≤80％。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述P電極與所述P電極區光反射層在水平面上的投影面積百分比為x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N電極區光反射層與所述N電極在水平面上的投影面積百分比為y₂，其中50％≤y₂≤80％。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述P電極引線與所述P電極引線區光反射層在水平面上的投影面積百分比為x₂，其中80％≤x₂≤190％。

4.根據權利要求1至3任意一項所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述光反射層的厚度范圍是600～8000埃。

5.根據權利要求1至3任意一項所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述退火處理的溫度范圍是300～600℃，時間范圍是5～30min，氣氛為氮氣或氧氣。

6.根據權利要求1至3任意一項所述的發光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述光反射層的材料為SiO₂或Si₃N₄。

7.一種發光二極管芯片，其特征在于：所述發光二極管芯片至少包括基板，所述基板自下而上依次包括襯底、N型半導體層、發光層及P型半導體層；所述基板上形成有一底部到達所述N型半導體層中的凹陷區域；所述P型半導體層上形成有P電極區光反射層及P電極引線區光反射層；所述凹陷區域內的N型半導體層上形成有N電極區光反射層及N電極引線區光反射層；所述P電極區光反射層、P電極引線區光反射層以及其余P型半導體層上覆蓋有透明導電層；所述透明導電層上形成有P電極及P電極引線；所述P電極與所述P電極區光反射層相對，所述P電極引線與所述P電極引線區光反射層相對；所述N電極區光反射層上設有N電極，所述N電極覆蓋所述N電極區光反射層并與所述N型半導體層接觸，所述N電極連接有N電極引線，所述N電極引線與所述N電極接觸的前段部分形成于所述N電極引線區光反射層上，后段部分形成于所述N型半導體層上；位于所述N電極引線區光反射層上的N電極引線與所述N電極引線區光反射層在水平面上的投影面積百分比為y₁，其中50％≤y₁≤80％。

8.根據權利要求7所述的發光二極管芯片，其特征在于：所述P電極與所述P電極區光反射層在水平面上的投影面積百分比為x₁，其中80％≤x₁≤190％，所述N電極區光反射層與所述N電極在水平面上的投影面積百分比為y₂，其中50％≤y₂≤80％。