[發明專利]耐磨薄膜與包含該耐磨薄膜的鏡片

在審

• 申請號: 201310158765.3
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN103381684A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: C·圣呂;A·克雷捷;C·克利佩;I·博內
• 申請（專利權）人: 埃西勒國際通用光學公司
• 主分類號: B32B27/06
• 分類號: B32B27/06;B32B27/08;B32B27/28;B32B27/36;B32B23/08;B32B23/20;C09D183/06;C09J7/02;B32B7/12;B32B37/12;G02B1/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王健

1.耐磨薄膜，包含：

（a）熱塑性聚合物制得的透明薄膜，和

（b）覆蓋該透明薄膜的耐磨復合涂層，所述涂層包含：

（i）放置在該透明薄膜上的下層，通過水解并隨后固化以至少3的環氧硅烷對烷氧基硅烷的基于干物質的重量比（R1）包含至少一種環氧硅烷和至少一種烷氧基硅烷的下層組合物獲得，

（ii）放置在該下層上的上層，通過水解并隨后固化以最多2的環氧硅烷對烷氧基硅烷的基于干物質的重量比（Ru）包含至少一種環氧硅烷和至少一種烷氧基硅烷的上層組合物獲得。

2.根據權利要求1所述的耐磨薄膜，其特征在于構成該透明薄膜的所述熱塑性聚合物選自三乙酸纖維素（CTA）和聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）。

3.根據權利要求1和2之一所述的耐磨薄膜，其特征在于熱塑性聚合物制成的所述透明薄膜具有50微米至150微米、優選60微米至100微米的厚度。

4.根據權利要求1至3任一項所述的耐磨薄膜，其特征在于所述耐磨涂層具有1至15微米、優選2至10微米的厚度，所述下層的厚度大于所述上層的厚度。

5.根據權利要求1至4任一項所述的耐磨薄膜，其特征在于所述上層組合物和下層組合物的環氧硅烷獨立地選自式（I）的環氧硅烷：

R_nY_mSi(X)_4-n-m???（I）

其中：

R代表經碳原子鍵合到硅上并含有至少一個環氧官能的一價有機基團，

X代表可水解基團，優選為-OR₁基團，其中R₁代表直鏈或支鏈的優選C₁-C₄的烷基、烷氧基烷基或酰氧基、鹵素原子或任選被一個或兩個烷基或硅烷基團取代的氨基，X優選代表烷氧基，

Y代表經碳原子鍵合到硅上并不含環氧官能的一價有機基團，如飽和或不飽和的C₁-C₁₀且更好C₁-C₄的烴基基團，特別是烷基，并且

n和m是整數，使得：n=1或2且n+m=1或2。

6.根據權利要求5所述的耐磨薄膜，其特征在于所述上層組合物和下層組合物的環氧硅烷獨立地選自式RSi(X)₃的環氧硅烷，如γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基硅烷和2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基硅烷，優選γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷（GLYMO）。

7.根據權利要求1至6任一項所述的耐磨薄膜，其特征在于所述上層組合物和下層組合物的烷氧基硅烷獨立地選自式（II）的那些：

Si(OR')₄???（II）

其中R'基團彼此相同或不同，并代表直鏈C₁-C₆或支鏈C₃-C₆烷基。

8.根據權利要求7所述的耐磨薄膜，其特征在于所述上層組合物和下層組合物的烷氧基硅烷獨立地選自原硅酸四烷基酯，如四乙氧基硅烷（或TEOS）、四甲氧基硅烷（或TMOS）、四(正丙氧基)硅烷、四(異丙氧基)硅烷、四(正丁氧基)硅烷、四(仲丁氧基)硅烷和四(叔丁氧基)硅烷，優選四乙氧基硅烷（TEOS）。

9.根據權利要求1至8任一項所述的耐磨薄膜，其特征在于Rl為至少等于3.5，優選至少等于4或甚至至少等于4.5。

10.根據權利要求1至9任一項所述的耐磨薄膜，其特征在于Ru小于1.5，優選小于1。

11.根據權利要求1至10任一項所述的耐磨薄膜，其特征在于其還包含施加到透明薄膜的與帶有所述耐磨涂層的面相反的面上的粘合劑層。

12.光學制品，特別是鏡片，包含：

(a)由有機玻璃制成的透明基底，

(b)覆蓋所述透明基底的至少一個面的粘合層，和

(c)如權利要求1至11任一項所定義的耐磨薄膜。

13.根據權利要求12所述的光學制品，其特征在于其是鏡片，其中所述基底的兩個面用耐磨薄膜覆蓋。