[發明專利]電流或電壓型傳感器信號采集保護電路有效
| 申請號： | 201310158708.5 | 申請日： | 2013-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN103219987A | 公開（公告）日： | 2013-07-24 |
| 發明（設計）人： | 王大偉;魏麗娜;臧軍望;胡楊;張志遠;鄧春云;王博玉 | 申請（專利權）人： | 航天科技控股集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/003 | 分類號： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 張宏威 |
| 地址： | 150060 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流 電壓 傳感器 信號 采集 保護 電路 | ||
【權利要求書】：
1.電流或電壓型傳感器信號采集保護電路，其特征在于，它包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、三極管KT1和NMOS管KT2，
三極管KT1的基極同時連接電阻R5的一端和電阻R1的一端；
三極管KT1的集電極同時連接電阻R2的一端和NMOS管KT2的柵極；電阻R2的另一端連接12V電源；
三極管KT1的發射極同時連接電阻R1的另一端和NMOS管KT2的源極，并接地；
NMOS管KT2的漏極連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端、電阻R5的另一端和電阻R4的一端同時連接電壓或電流傳感器的輸出端；
電阻R4的另一端連接單片機的AD端口。
2.根據權利要求1所述電流或電壓型傳感器信號采集保護電路，其特征在于，NMOS管KT2采用自帶體二極管的MOSFET晶體管。
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