[發明專利]一種改善半導體工藝流程中鋁殘留的方法在審
| 申請號： | 201310157974.6 | 申請日： | 2013-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN104124204A | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 馬宜攢;閔煉鋒;劉長安 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 王愛偉 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 半導體 工藝流程 殘留 方法 | ||
1.一種改善半導體工藝流程中鋁殘留的方法，其包括：
在形成鋁互連復合金屬膜時，在鋁復合金屬膜中的導電層AlCu與上方的阻擋層金屬TiN之間增設一層鈦金屬層Ti，同時提高導電層AlCu與上方的阻擋層金屬TiN的厚度，并降低鋁互連復合金屬膜的生長溫度。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的導電層AlCu與上方的阻擋層金屬TiN之間的鈦金屬層Ti的厚度為較佳的為
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的導電層AlCu上方的阻擋層金屬TiN的厚度為較佳的為
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的生長溫度為230度～270度，較佳的為250度。
5.一種鋁互連復合金屬膜，其中該鋁互連復合金屬膜包括中間的導電層AlCu、位于導電層AlCu下方的接觸層金屬和阻擋層金屬Ti/TiN，以及位于導電層上方的阻擋層金屬和抗反射涂層TiN；其特征在于：在所述導電層AlCu與上方的阻擋層金屬TiN之間還形成有一層鈦金屬層Ti。
6.如權利要求5所述的鋁互連復合金屬膜，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的導電層AlCu與上方的阻擋層金屬TiN之間的鈦金屬層Ti的厚度為較佳的為
7.如權利要求5所述的鋁互連復合金屬膜，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的導電層AlCu上方的阻擋層金屬TiN的厚度為較佳的為
8.一種制造鋁互連復合金屬膜的方法，其包括：
在硅片上形成一層接觸層金屬Ti，
在接觸層金屬Ti上形成一層阻擋層金屬TiN；
在阻擋層金屬上形成一層導電層AlCu；
在導電層金屬AlCu上形成一層鈦金屬層Ti；
在鈦金屬層Ti上形成一層阻擋層金屬TiN。
9.如權利要求8所述的制造鋁互連復合金屬膜的方法，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的導電層AlCu與上方的阻擋層金屬TiN之間的鈦金屬層Ti的厚度為較佳的為所述鋁互連復合金屬膜的導電層AlCu上方的阻擋層金屬TiN的厚度為較佳的為
10.如權利要求8所述的制造鋁互連復合金屬膜的方法，其特征在于：所述鋁互連復合金屬膜的生長溫度為230度～270度，較佳的為250度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310157974.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種RDL布線層的制備方法
- 下一篇：等離子設備及其控制方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
