[發明專利]判斷光刻版套刻精度一致性的方法和光刻機有效
| 申請號： | 201310157519.6 | 申請日： | 2013-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN104122756A | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 陳輝 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 判斷 光刻 版套刻 精度 一致性 方法 | ||
1.一種判斷光刻版套刻精度一致性的方法，其特征在于，在光刻制程中，包括以下步驟：
以行間隔或列間隔的方式使用兩塊光刻版對晶圓表面曝光；
將完成曝光的整片晶圓與通過單一光刻版曝光的晶圓進行比較，判斷套刻精度的一致性。
2.根據權利要求1所述的判斷光刻版套刻精度一致性的方法，其特征在于，所述以行間隔的方式使用兩塊光刻版對晶圓表面曝光的步驟具體為：
使用所述兩塊光刻版的其中一塊對晶圓上處于同一行的多個曝光區域依次執行曝光；
使用所述兩塊光刻版的另外一塊對晶圓上處于下一行的多個曝光區域依次執行曝光；
反復輪流執行上述步驟直至晶圓表面全部完成曝光。
3.根據權利要求1所述的判斷光刻版套刻精度一致性的方法，其特征在于，所述以列間隔的方式使用兩塊光刻版對晶圓表面曝光的步驟具體為：
使用所述兩塊光刻版的其中一塊對晶圓上處于同一列的多個曝光區域依次執行曝光；
使用所述兩塊光刻版的另外一塊對晶圓上處于下一列的多個曝光區域依次執行曝光；
反復輪流執行上述步驟直至晶圓表面全部完成曝光。
4.一種光刻機，包括光刻模塊，其特征在于，所述光刻模塊包括光刻版選擇模塊，所述光刻版選擇模塊按照設定的方式選取兩塊光刻版以行間隔或列間隔的方式對晶圓表面曝光。
5.如權利要求4所述的光刻機，其特征在于，所述光刻版選擇模塊用于：
選取所述兩塊光刻版的其中一塊對晶圓上處于同一行的多個曝光區域依次執行曝光；
選取所述兩塊光刻版的另外一塊對晶圓上處于下一行的多個曝光區域依次執行曝光；
反復輪流執行上述步驟直至晶圓表面全部完成曝光。
6.如權利要求4所述的光刻機，其特征在于，所述光刻版選擇模塊用于：
選取所述兩塊光刻版的其中一塊對晶圓上處于同一列的多個曝光區域依次執行曝光；
選取所述兩塊光刻版的另外一塊對晶圓上處于下一列的多個曝光區域依次執行曝光；
反復輪流執行上述步驟直至晶圓表面全部完成曝光。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310157519.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
