[發明專利]用于清洗基板的裝置和方法

無效

• 申請號: 201310156680.1
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103377971A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 金裕桓;姜秉萬;吳世勛;金娟準
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

技術領域

這里公開的本發明涉及一種用于制造半導體基板的裝置和方法，并且更具體地說，涉及一種用于清洗基板的裝置和方法。

背景技術

通常來說，通過在諸如晶片的基板上執行諸如照相處理、蝕刻處理、離子注入處理以及沉積處理的多種處理來制造半導體器件。

此外，當執行每個處理的同時，執行用于移除附接到基板的各種污染物的清洗處理。清洗處理包括：通過使用化學制品將附接到基板的污染物移除的化學處理過程；通過使用純凈水來移除保留在基板上的化學制品的濕式清洗處理；以及用于通過提供干燥流體來移除保留在基板的表面上的純凈水的干燥處理。

其中，通過將氮氣供給到其上保留有純凈水的基板上來執行干燥處理。然而，由于形成在基板上的每個圖案的線寬都減小，并且每個圖案的縱橫比都增加，因此難以移除存在于圖案之間的純凈水。最近，具有比純凈水更大的揮發性以及比純凈水更小的表面張力的諸如異丙醇的液體有機溶劑可以替代純凈水，并且然后，可以供給氮氣以干燥基板。

即使是此方法，也不能均勻地干燥基板的圖案表面以致使圖案坍塌。在下文中，將描述在干燥處理過程中出現的傾斜現象的發生過程。

圖1和圖2是示出其中當通過使用凈化氣體干燥基板時出現的基板傾斜現象的過程的視圖。

參照圖1，當有機溶劑或純凈水保留在基板W的圖案P上時，可以將凈化氣體供給到基板W的上部上以使基板W干燥。例如，凈化氣體供給件460布置在基板W上方，以當凈化氣體供給件460在基板W的中間區域與邊緣區域之間移動時將凈化氣體供給到基板W的整個區域上。盡管未示出，但當供給凈化氣體時基板W可以旋轉。即使執行上述干燥處理，形成在基板W上的圖案P之間的干燥速率可能是不同的。

參照圖2，當基板W的圖案P之間的干燥速率不同時，保留在圖案P之間的處理溶液或純凈水的量可以是不同的。因此，在基板W的圖案P之間的剩余溶液上產生的表面張力可能是不同的。當在圖案P之間出現表面張力差時，致使圖案P的傾斜現象的施加在每個圖案P的左右方向上的力可以是不同的。

基板處理過程由于傾斜現象而在效率上減小。

發明內容

本發明提供了一種用于清洗基板的裝置與方法，其能夠改進基板上的干燥效率。

本發明還提供了一種用于清洗基板的裝置與方法，其以基本均勻的速率干燥基板的整個區域以防止在基板上出現圖案的傾斜現象。

本發明的特征不限于如上所述，而且本領域中的技術人員將會從下面的描述中清楚地理解這里未描述的其它特征。

本發明的實施方式提供了基板清洗裝置。基板清洗裝置包括：第一處理室，在該第一處理室中通過供給處理溶液而在基板上執行液體處理過程；第二處理室，在第二處理室中在基板上執行干燥處理；以及傳送單元，該傳送單元在第一處理室與第二處理室之間傳送基板，其中第一處理室包括：液體處理殼體，該液體處理殼體提供空間，在該空間中在基板上執行液體處理過程；旋轉卡盤，該旋轉卡盤在液體處理殼體內支撐基板；以及液體供給件，該液體供給件將處理溶液供給到通過旋轉卡盤支撐的基板上，其中第二處理室包括：干燥殼體，該干燥殼體提供在其中干燥基板的空間；基板支撐件，該基板支撐件在干燥殼體內支撐基板；以及加熱器，該加熱器加熱基板。

在一些實施方式中，基板支撐件可以具有頂部表面，該頂部表面由具有比旋轉卡盤的頂部表面的耐熱性更大耐熱性的材料形成。

在其它實施方式中，基板支撐件的頂部表面可以由鋼材料形成，并且旋轉卡盤的頂部表面可以由聚四氟乙烯材料形成。

在此外的實施方式中，加熱器可以布置在基板支撐件中。

在此外的實施方式中，第二處理室還可以包括：凈化氣體供給件，該凈化氣體供給件將凈化氣體供給到干燥殼體中；以及排放件，該排放件將凈化氣體與煙排放到干燥殼體的外部。

在此外的實施方式中，凈化氣體可以包括惰性氣體。

在此外的實施方式中，基板支撐件可以包括;支撐板，該支撐板布置在基板支撐件上以面向基板，支撐板與基板一起旋轉；以及旋轉件，該旋轉件使支撐板旋轉。

在本發明的其它實施方式中，基板清洗裝置包括：第一處理室，在該第一處理室中通過供給處理溶液而在基板上執行液體處理過程；傳送單元，該傳送單元從第一處理室傳送基板；以及干燥件，該干燥件使傳送的基板干燥，其中干燥件布置在傳送單元中。