[發明專利]∑形凹槽的制作方法

有效

• 申請號: 201310156183.1
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103247524A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 李全波;李芳;張瑜;方精訓;彭樹根
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種∑形凹槽的制作方法，在其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有柵極，所述柵極和半導體襯底表面形成有保護層；

利用等離子體刻蝕工藝和濕法刻蝕工藝，對所述保護層和半導體襯底進行刻蝕，在所述半導體襯底內形成∑形凹槽。

2.如權利要求1所述∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝包括：

利用含第一刻蝕氣體進行等離子體刻蝕工藝，所述第一刻蝕氣體包括含碳的氟化物；利用第二刻蝕氣體進行等離子體刻蝕工藝，所述第二刻蝕氣體為含氮的氟化物；利用第三刻蝕氣體進行等離子體刻蝕工藝，所述第三刻蝕氣體包括溴化氫和O2的混合氣體。

3.如權利要求2所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述第一刻蝕氣體包括CF4，CF4的流量范圍為50-100sccm。

4.如權利要求2所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述第二刻蝕氣體包括NF3，刻蝕腔室的壓力范圍為60-100mTorr，偏置功率為OW。

5.如權利要求2所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，第三刻蝕氣體包括HBr和O2形成聚合物氣體，所述HBr的流量范圍為200-300sccm，O2的流量范圍是5-10sccm。

6.如權利要求2所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，依次利用所述第一刻蝕氣體、第二刻蝕氣體和第三刻蝕氣體進行所述等離子體刻蝕工藝。

7.如權利要求2所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝利用LAM?kiyo或kiyo45設備進行。

8.如權利要求2所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝在半導體襯底內形成開口，所述開口的寬度自沿半導體襯底上表面至下表面方向逐漸增大后逐漸減小。

9.如權利要求1所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝包括：采用酸性溶液進行清洗，所述酸性溶液為含有氫氟酸的溶液；采用干有四甲基氫氧化銨的溶液進行刻蝕。

10.如權利要求9所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述含有四甲基氫氧化銨溶液中的四甲基氫氧化銨的濃度為5-20％，所述濕法刻蝕工藝溫度范圍為50-60攝氏度。

11.如權利要求1所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述保護層的材質為氮化硅，其厚度范圍為100-150埃。

12.如權利要求1所述的∑形凹槽的制作方法，其特征在于，所述∑形凹槽的垂直深度范圍為100-200埃，側墻距離為30-75埃。