[發明專利]程式控制方法以及程式控制系統

有效

• 申請號: 201310156103.2
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103268074A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 俞曉菁;婁曉祺;朱燕萍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G05B19/04
• 分類號: G05B19/04
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及半導體工廠自動化技術領域，特別是涉及一種程式控制方法以及程式控制系統。

背景技術

半導體制造業是一個高科技行業，也是一個高投資的行業。半導體制造工廠為了實現其運營目標，提高生產力，其生產控制活動的自動化程度越來越高。其中，在半導體制造過程中，程式（recipe），又稱工藝配方，是一個重要的因素，它記錄了如何加工原材料以生產出半導體制造工廠想要的產品，因此，在整個半導體制造工廠的自動化系統中，對程式（recipe）控制的自動化尤其重要。

為了統一控制程式，并實現程式控制的自動化，需要建立程式控制系統，可以在所述程式控制系統中建立各種機臺的程式，并通過傳輸系統將各程式傳送到對應的機臺上，對應的機臺根據對應的程式進行工藝制造。例如，干刻工程師可以在所述程式控制系統中建立柵極刻蝕程式（poly?etch?recipe），通過傳輸系統，poly?etch?recipe被傳輸到柵極刻蝕（poly?etch）的機臺上，所以在柵極刻蝕的機臺上就有了poly?etch?recipe，當柵極刻蝕的機臺上有晶圓（wafer）需要進行柵極刻蝕時，柵極刻蝕的機臺自動調取poly?etch?recipe以進行刻蝕。這樣，干刻工程師就不需要進入潔凈室（Fab）在柵極刻蝕的機臺上建立recipe，從而提高工作效率。

然而，半導體制造過程是一個很復雜的過程，需要很多步驟和不同的工藝配合才能完成，例如，一片wafer的制備需要經過有源區制備、柵極制備、通孔制備、互連制備等步驟，并且，不同的步驟中會進行不同的工藝，在有源區制備中會進行光刻和離子注入等工藝，在柵極制備中會進行CVD（化學氣相沉積）、光刻、干刻和濕刻等工藝，等等。但是，目前的程式控制系統中，不同工藝的工程師均可以對所述程式控制系統中的程式進行修改或刪除，例如，干刻工程師可以修改CVD工藝的程式，這樣的控制方法會造成原本不需要修改或刪除的程式被誤操作后影響到線上的批次（lot）。

因此，如何提供一種程式控制方法以及程式控制系統，能夠提高半導體制造自動化的控制效率，降低誤操作，已成為本領域技術人員需要解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種程式控制方法以及程式控制系統，能夠提高半導體制造自動化的控制效率，降低誤操作。

為解決上述技術問題，本發明提供一種程式控制方法，包括：

提出程式變動請求，所述程式變動請求包含程式組的權限信息；

對所述程式變動請求的權限信息進行判斷，如果所述程式變動請求的權限符合要求，執行程式變動請求；如果所述程式變動請求的權限不符合要求，程式變動不成功。

進一步的，在所述程式控制方法中，所述程式變動請求還包括程式類別的權限信息。

進一步的，在所述程式控制方法中，對所述程式變動請求的權限信息進行判斷的步驟包括：

對所述程式變動請求的程式組的權限進行判斷，如果所述程式組的權限不符合要求，程式變動不成功；如果所述程式組的權限符合要求，則進行對所述程式變動請求的程式類別的權限進行判斷，如果所述程式類別的權限不符合要求，程式變動不成功；如果所述程式類別的權限符合要求，執行程式變動請求。

進一步的，在所述程式控制方法中，對所述程式變動請求的權限信息進行判斷的步驟包括：

對所述程式變動請求的程式類別的權限進行判斷，如果所述程式類別的權限不符合要求，程式變動不成功；如果所述程式類別的權限符合要求，則進行對所述程式變動請求的程式組的權限進行判斷，如果所述程式組的權限不符合要求，程式變動不成功；如果所述程式組的權限符合要求，執行程式變動請求。

進一步的，在所述程式控制方法中，當程式變動不成功時，發出錯誤警報。

根據本發明的另一面，本發明還提供一種程式控制系統，包括：

接收模塊，用于接收程式變動請求，并輸出程式變動請求信息，所述程式變動請求信息包含程式組的權限信息；

控制模塊，用于判斷是否進行程式變動，接收所述程式變動請求信息，并發出判斷信息；

程式組模塊，與所述控制模塊相連，所述程式組模塊內具有預設程式組權限信息，所述控制模塊根據所述程式變動請求信息以及所述預設程式組權限信息對所述程式變動請求的程式組的權限信息進行判斷；

執行模塊，接收所述控制模塊的判斷信息，根據所述判斷信息執行判斷結果。