[發明專利]雙半橋注入鎖相功率合成霓虹燈有效

申請號：	201310156034.5	申請日：	2013-04-15
公開（公告）號：	CN104105298A	公開（公告）日：	2014-10-15
發明（設計）人：	阮樹成;阮雪芬	申請（專利權）人：	阮雪芬
主分類號：	H05B41/285	分類號：	H05B41/285
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	321100 浙***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	雙半橋注入功率合成霓虹燈
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【權利要求書】：

1.一種雙半橋注入鎖相功率合成霓虹燈，包括電源濾波器EMI、整流橋堆，其特征在于：還包括功率因數校正APFC、基準晶振、分頻器、兩個自振蕩芯片、半橋逆變器A、半橋逆變器B、相加耦合器、燈管異常電流檢測器，其中，基準晶振由石英晶體諧振器、兩個反相器及電阻、電容組成，第一個反相器輸入與輸出兩端跨接偏置電阻，并分別并接接地電容，同時，還跨接串聯微調電容的石英晶體諧振器，基準晶振輸出信號經第二個反相器接入分頻器，自振蕩芯片內含RC振蕩器、半橋逆變驅動電路，兩個自振蕩芯片RC振蕩器共接電阻R₁₁和電容C₁₅產生同步振蕩，輸出分別經半橋逆變驅動電路連接均由兩個功率MOS場效應管互補組成的半橋逆變器A、半橋逆變器B，自振蕩芯片及半橋逆變器A輸出功率變壓器T₂與自振蕩芯片及半橋逆變器B輸出功率變壓器T₃反相饋入相加耦合器功率合成、升壓接入霓虹燈管引燃起輝，基準晶振信號經分頻器注入兩個自振蕩芯片RC振蕩器C_T端鎖定相位，燈管異常電流檢測器信號經三極管接入兩個自振蕩芯片RC振蕩器輸C_T端控制振蕩快速停振，電網電源經電源濾波器EMI、整流橋堆、功率因數校正APFC輸出電壓接入基準晶振、分頻器、自振蕩芯片及半橋逆變器A、自振蕩芯片及半橋逆變器B的電源端。

2.根據權利要求1所述的雙半橋注入鎖相功率合成霓虹燈，其特征在于：功率因數校正APFC由芯片IC₄、功率MOS場效應管Q₁、升壓二極管VD₁₁、磁性變壓器T₁及電阻、電容組成，整流橋堆輸出經磁性變壓器T₁電感L₃接Q₁漏極、升壓二極管VD₁₁至電容C₁₁為功率因數校正APFC輸出，電阻R₄接整流橋堆輸出引入芯片IC₄電源端，并與磁性變壓器T₁電感L₄經二極管VD₅檢波電壓為芯片IC₄控制門限開啟，電阻R₂、R₃接整流橋堆輸出分壓取樣接入芯片IC₄乘法器一端，乘法器另一端接電阻R₈、R₉分壓取樣輸出電壓，乘法器輸出與Q₁源極接地電阻點連接峰值電流檢測比較器，芯片IC₄輸出接Q₁柵極，磁性變壓器T₁電感L₅高頻電壓由二極管VD_6～9整流、二極管VD₁₀穩壓、電容C₁₂濾波接基準晶振、分頻器電源端。