[發明專利]雙半橋注入鎖相功率合成無極燈有效
| 申請號: | 201310156032.6 | 申請日: | 2013-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN104105297A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 阮樹成;阮雪芬 | 申請(專利權)人: | 阮雪芬 |
| 主分類號: | H05B41/285 | 分類號: | H05B41/285 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 321100 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙半橋 注入 功率 合成 無極 | ||
1.一種雙半橋注入鎖相功率合成無極燈,包括電源濾波器EMI、整流橋堆、功率因數校正APFC、無極燈管,其特征在于:還包括基準晶振、分頻器、兩個自振蕩芯片、半橋逆變器A、半橋逆變器B、相加耦合器、燈管異常電流檢測器,其中,基準晶振由石英晶體諧振器、兩個反相器及電阻、電容組成,第一個反相器輸入與輸出兩端跨接偏置電阻,并分別并接接地電容,同時,還跨接串聯微調電容的石英晶體諧振器,基準晶振輸出信號經第二個反相器接入分頻器,自振蕩芯片內含RC振蕩器、半橋逆變驅動電路,兩個自振蕩芯片RC振蕩器共接電阻R11、電容C15同步振蕩,輸出分別經半橋逆變驅動電路連接均由兩個功率MOS場效應管互補組成的半橋逆變器A、半橋逆變器B,自振蕩芯片及半橋逆變器A輸出功率變壓器T2與自振蕩芯片及半橋逆變器B輸出功率變壓器T3反相饋入相加耦合器,功率合成經磁環電感L13、L14耦合到無極燈管啟輝,基準晶振信號經分頻器注入兩個自振蕩芯片RC振蕩器CT端鎖定相位,燈管異常電流檢測器信號經三極管接入兩個自振蕩芯片RC振蕩器CT端控制振蕩快速停振,電網電源經電源濾波器EMI、整流橋堆、功率因數校正APFC輸出電壓接入基準晶振、分頻器、自振蕩芯片及半橋逆變器A和自振蕩芯片及半橋逆變器B的電源端。
2.根據權利要求1所述的雙半橋注入鎖相功率合成無極燈,其特征在于:功率因數校正APFC由芯片IC4、功率MOS場效應管Q1、升壓二極管VD11、磁性變壓器T1及電阻、電容組成,整流橋堆輸出經磁性變壓器T1電感L3接Q1漏極、升壓二極管VD11至電容C11作為功率因數校正APFC輸出,電阻R4接整流橋堆輸出引入芯片IC4電源端,并與磁性變壓器T1電感L4經二極管VD5檢波電壓為芯片IC4控制門限開啟,電阻R2、R3接整流橋堆輸出分壓取樣接入芯片IC4乘法器一端,乘法器另一端接電阻R8、R9分壓取樣輸出電壓,乘法器輸出與Q1源極接地電阻點連接峰值電流檢測比較器,芯片IC4輸出接Q1柵極,磁性變壓器T1電感L5高頻電壓由二極管VD6~9整流、二極管VD10穩壓、電容C12濾波接基準晶振、分頻器電源端。
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