[發(fā)明專利]防擴(kuò)散層及制備方法、薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310154410.7
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103236403A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜春生;陳海晶;王東方
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/288;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種防擴(kuò)散層的制備方法，其特征在于，包括：

將導(dǎo)電基質(zhì)與陰極置于硫酸鉭溶液中，以導(dǎo)電基質(zhì)為陽極，通電后在導(dǎo)電基質(zhì)上形成二氧化鉭防擴(kuò)散層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防擴(kuò)散層的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電基質(zhì)為銅或鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防擴(kuò)散層的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電基質(zhì)為薄膜晶體管的柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防擴(kuò)散層的制備方法，其特征在于，所述電解液為硫酸鉭溶液，其質(zhì)量濃度范圍為6-9%，PH值在8-10之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防擴(kuò)散層的制備方法，其特征在于，

所述通電的電壓范圍是10-30V，電流范圍是30-100mA，氧化時(shí)間為8-12s。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防擴(kuò)散層的制備方法，其特征在于，所述電解液中還包括催化劑，所述催化劑為甲醇，其質(zhì)量濃度范圍為10-15%。

7.一種防擴(kuò)散層，其特征在于，所述防擴(kuò)散層由權(quán)利要求1至6任一所述的防擴(kuò)散層的制備方法制備。

8.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極與柵極絕緣層之間具有權(quán)利要求7所述的防擴(kuò)散層。

9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求9所述的陣列基板。