[發(fā)明專利]半導體薄膜、半導體薄膜的制備方法和半導體元件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310154043.0 | 申請日： | 2008-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN103274608A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 井上一吉;宇都野太;本田克典 | 申請（專利權(quán)）人： | 出光興產(chǎn)株式會社 |
| 主分類號： | C03C17/23 | 分類號： | C03C17/23;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人： | 徐申民;李曉 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 薄膜 制備 方法 元件 | ||
1.半導體薄膜，其特征在于，將含有非晶質(zhì)氧化物的非晶質(zhì)氧化物薄膜暴露在用高頻率激發(fā)含有氧的氣體所產(chǎn)生的氧等離子體中而成，上述非晶質(zhì)氧化物薄膜是以氧化銦為主成分的薄膜，通過暴露于上述氧等離子體中而結(jié)晶化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體薄膜，其特征在于，上述非晶質(zhì)氧化物薄膜含有正二價的金屬氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體薄膜，其特征在于，上述正二價的金屬氧化物是選自氧化鋅、氧化鎂、氧化鎳、氧化銅和氧化鈷中至少任一者的1種以上的金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體薄膜，其特征在于，上述非晶質(zhì)氧化物薄膜含有正三價的金屬氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體薄膜，其特征在于，上述正三價的金屬氧化物是選自氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧化鈧、氧化釔、氧化鑭、氧化釹、氧化釤、氧化銪、氧化釓、氧化鏑、氧化鈥、氧化鉺、氧化銩、氧化鐿和氧化镥中至少任一者的1種以上的金屬氧化物。
6.半導體薄膜的制備方法，其特征在于，將含有非晶質(zhì)氧化物并形成薄膜的非晶質(zhì)氧化物薄膜暴露于用高頻率激發(fā)含有氧的氣體而產(chǎn)生的氧等離子體中。
7.半導體元件，其特征在于，具有權(quán)利要求1～5中任一項所述的半導體薄膜。
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