[發明專利]蓋帽層粗化光電器件的制備方法

無效

• 申請號: 201310153922.1
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103219445A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 王瑋;蔡勇;張寶順
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所(普通合伙) 11264
• 代理人: 王鋒

1.?一種蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，包括：提供具有粗化結構的模板，并將所述模板與用以形成光電器件蓋帽層的有機涂覆層結合，使模板上的粗化結構轉移至有機涂覆層，而后對有機涂覆層進行固化處理，并將模板與有機涂覆層分離，獲得具有粗化結構的蓋帽層。

2.?根據權利要求1所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，該方法中，在將所述模板與有機涂覆層結合之前，還對所述模板進行了防粘處理。

3.?根據權利要求2所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述防粘處理包括：在所述模板表面涂覆防粘劑，所述防粘劑包括硅油。

4.?根據權利要求1-3中任一項所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述有機涂覆層覆設于光電器件表面。

5.?根據權利要求1所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述模板包括硬模板，所述硬模板包括硅模板、多孔氧化鋁模板或者硅基多孔氧化鋁模板。

6.?根據權利要求1或2所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述有機涂覆層的材料包括環氧樹脂或硅膠體。

7.?根據權利要求1所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，?所述粗化結構包括凹陷和/或凸起的規則或不規則圖形結構。

8.?根據權利要求1所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述模板的制備方法包括如下步驟：

（1）提供用以制作所述粗化結構的掩膜版；

（2）在用以形成所述模板的基材上涂覆光刻膠，并采用光刻工藝將掩膜版上的圖形結構轉移至模板的光刻膠層，所述光刻工藝包括紫外光刻、電子束光刻以及步進式非接觸光刻；

（3）對模板進行刻蝕，將光刻膠層上的圖形結構轉移至基材；

（4）依次對步驟（3）處理后的基材進行去膠、清洗、烘干處理，獲得所述模板。

9.?根據權利要求1所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述模板的制備方法包括如下步驟：

（1）在基材表面墊積氧化硅層；

（2）在氧化硅層表面蒸鍍金屬鎳層，并對金屬鎳層退火形成鎳球；

（3）使用鎳球作為掩膜刻蝕氧化硅層，從而將鎳球的圖形轉移至氧化硅層；

（4）使用氧化硅為掩膜刻蝕基材，而后除去基材表面的氧化硅，再依次經清洗、烘干，獲得所模板。

10.?根據權利要求8或9所述的蓋帽層粗化光電器件的制備方法，其特征在于，所述模板的制備方法中所使用的刻蝕工藝包括干法刻蝕或者濕法腐蝕工藝。