[發明專利]包括輸入信號限制網絡的放大電路

有效

• 申請號: 201310153733.4
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103384143A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: I·穆徹;P·提克維奇;M·馬特加
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體股份有限公司
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F1/22;H01L27/02;H01L27/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種用于換能器信號的集成放大電路，包括：

-半導體襯底，包括第一極性半導體材料，所述半導體襯底進一步包括：

-前置放大器，包括用于接收所述換能器信號的輸入，

-信號限制網絡，包括耦合在所述前置放大器的輸入和所述集成放大電路的第一預定電位之間的第一和第二平行支路；

-第一支路，包括被耦合為通過所述限制網絡沿第一方向傳導電流的多個級聯半導體二極管，

-第二支路，包括被耦合為通過所述限制網絡沿第二方向傳導電流的多個級聯半導體二極管；

-電流阻擋件，被配置為中斷在所述第一支路或者所述第二支路的半導體二極管的陽極或者陰極與所述半導體襯底之間的寄生電流路徑。

2.根據權利要求1所述的集成放大電路，其中所述第一支路和所述第二支路中的至少一個的每個半導體二極管包括：

-電流阻擋件，被配置為中斷在所述半導體二極管的陽極或者陰極與所述半導體襯底之間的寄生電流路徑。

3.根據權利要求1所述的集成放大電路，其中所述第一支路或者所述第二支路的所述半導體二極管包括：

-第一極性的第一阱擴散，形成所述半導體二極管的陽極端子或者陰極端子的一部分，并且包圍形成所述半導體二極管的相對端子的第二極性的第一擴散，

-第二極性的第二阱擴散，包圍所述第一阱擴散并且進一步包圍被設置在所述第一阱擴散外部的第二極性的第二擴散，以形成所述電流阻擋件，

-第一極性的第一擴散，被設置在所述第二阱擴散外部的半導體襯底中。

4.根據權利要求2所述的集成放大電路，其中所述第一支路的每個半導體二極管和所述第二支路的每個半導體二極管包括：

-第一極性的第一阱擴散，形成所述半導體二極管的陽極端子或者陰極端子的一部分，并且包圍形成所述半導體二極管的相對端子的第二極性的第一擴散，

-第二極性的第二阱擴散，包圍所述第一阱擴散，并且進一步包圍被設置在所述第一阱擴散外部的第二極性的第二擴散，以形成所述電流阻擋件，

-第一極性的第一擴散，被設置在所述第二阱擴散外部的半導體襯底中。

5.根據權利要求3所述的集成放大電路，其中所述第一支路的每個半導體二極管或所述第二支路的每個半導體二極管包括第一極性的第二擴散，其被設置在第一極性的所述第一阱擴散內部。

6.根據權利要求2所述的集成放大電路，其中所述第一支路的每個半導體二極管包括：

-第一極性的第一阱擴散，形成所述半導體二極管的陽極端子或者陰極端子的一部分，并且包圍形成所述半導體二極管的相對端子的第二極性的第一擴散，

-第二極性的第二阱擴散，包圍所述第一阱擴散并且進一步包圍被設置在所述第一阱擴散外部的第二極性的第二擴散，以形成所述電流阻擋件，

-所述第二阱擴散通過第二極性的所述第二擴散電連接至所述集成放大電路的預定電位，

-第一極性的第一擴散，被設置在所述第二阱擴散外部的半導體襯底中；以及

其中所述第二支路的每個半導體二極管包括：

-第二極性的第三阱擴散，被設置在所述半導體襯底中并且形成所述半導體二極管的陽極端子或者陰極端子的一部分，

所述第三阱擴散包圍形成所述半導體二極管的相對端子的第一極性的第二擴散。

7.根據權利要求6所述的集成放大電路，其中第一極性的所述第一擴散被設置在第二極性的所述第二阱擴散和第二極性的所述第三阱擴散中間；并且第一極性的所述第一擴散電耦合至所述集成放大電路的第二預定電位。

8.根據權利要求2所述的集成放大電路，其中第一極性是p-型以及第二極性是n-型；或者

-第一極性是n-型以及第二極性是p-型。

9.根據權利要求2所述的集成放大電路，其中第二極性（F）的所述第二擴散從所述集成放大電路電解耦或者電連接至第三預定電位。

10.根據權利要求3所述的集成放大電路，其中第二極性（F）的所述第二擴散的摻雜高于第二極性的所述第二阱擴散的摻雜。

11.根據權利要求3所述的集成放大電路，其中第一極性（GND）的所述第二擴散通過電接觸電耦合至所述集成放大電路的接地節點。