[發明專利]一維超長Sb2Se3納米線的制備方法

無效

• 申請號: 201310152890.3
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN103193207A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 陳哲;陳峰;婁大偉;王曉寧;李麗娜
• 申請（專利權）人: 吉林化工學院
• 主分類號: C01B19/04
• 分類號: C01B19/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一維超長Sb₂Se₃納米線的制備方法，屬于微納米材料技術領域。

背景技術

眾所周知，V-VI型（V=Sb、Bi、As;VI＝S、Se和Te）化合物是非常有用的半導體材料，它已經應用在熱電和光電裝置中，然而最近又發現它在紅外光譜、繪畫和光發射二極管以及微波轉化裝置等方面新的應用。實驗研究結果表明熱電材料的性能與熱電系數值（ZT）有著很密切的關系。比較高的ZT值可以完成高效和固態能量之間的轉化。值得注意的是，通過提高?ZT值可以實現納米結構的熱電材料能量的轉化。因此，目前，人們利用各種各樣的方法合成熱電納米材料，尤其在低維合成方面。

Sb₂Se₃是在室溫附近的熱電性能較好的熱電材料之一，同時它具有優異的光伏效應，因此有望在光化學裝置、光電和熱電冷卻涂層器件以及太陽能設備等領域中得到非常廣泛的應用。近年來,?由于納米尺寸的材料可提高性能，因此，對于納米形貌的控制與合成成為納米領域的一個新興熱點,?特別是一維納米材料已經受到研究人員的廣泛關注。因為一維納米結構具有的許多獨特性能，它不僅為人們研究材料的電子、光學、輸運性質和機械等性能與量子尺度之間的關系提供了物質模型，而且還為納米結構的合成和組裝提供了新的機遇。已有的研究表明，一維納米材料在納米電子器件、新型顯微鏡探針、納米光學器件、大面積平面顯示技術、超強超硬復合材料、傳感器和功能納米結構材料等方面顯示出極其重要的應用價值。

發明內容

本發明的目的是為了提出一種簡單新穎的一維超長Sb₂Se₃納米線的制備方法。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的。

本發明的一維超長Sb₂Se₃納米線的制備方法，采用溶劑熱合成法，以苯甲醇為溶劑，具體步驟為：

1）室溫下將SbCl₃溶于的苯甲醇溶劑中，攪拌使其充分溶解成透明溶液；

2）在步驟1）得到的溶液中慢慢的加入乙二胺，之后，攪拌20?min充分的混合均勻；

3）將上述步驟2）得到的溶液倒入盛有Se粉的的高壓密封反應釜中使其完全反應，反應完畢后，自然沉淀并分離出固體產物，用蒸餾水和無水乙醇反復交替洗滌數次，然后再空氣中干燥，得到超長的Sb₂Se₃納米線。

?上述步驟2）所述的乙二胺體積為1.5?mL。

上述步驟3所述的一維超長Sb₂Se₃納米線，其特征在于反應時間為24h，反應的溫度為160度，再空氣中干燥的時間為6?h。

?有益效果。

?本發明制備的Sb₂Se₃納米線原料低廉易得，合成方法簡單；所得的產物尺寸均勻、形貌單一，它的直徑在20?nm?左右，長度達到幾十微米以上；該方法得到的產物的收率一般可達到70%以上；本發明的方法高產率，易實現產業化生產，而且尺寸和形貌容易控制。

附圖說明

圖1為實施例1制備的Sb₂Se₃納米線的XRD圖。

圖2為實施例1制備的Sb₂Se₃納米線的XPS譜圖。

圖3為實施例1制備的Sb₂Se₃納米線的SEM和TEM圖：(a)?低倍的SEM?(b)高倍的SEM?(c)?低倍的TEM?(d)高倍的TEM。

具體實施方案

下面結合實施例對本發明做進一步說明。

實施例1。