[發明專利]一種α相酞菁氧鈦多晶薄膜及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201310152832.0
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103258959A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 胡文平;張宗鵬;江浪
• 申請（專利權）人: 中國科學院化學研究所
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種α相酞菁氧鈦多晶薄膜的制備方法，包括如下步驟：

（1）在二氧化硅基底上制備十八烷基三氯硅烷單分子層得到修飾的基底；

（2）將所述修飾的基底進行真空蒸鍍，被蒸鍍材料為酞菁氧鈦，則在所述十八烷基三氯硅烷單分子層上得到酞菁氧鈦層；

（3）通過物理氣相傳輸法在所述酞菁氧鈦層上制備酞菁氧鈦薄膜，則在所述基底上即得到所述α相酞菁氧鈦多晶薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（1）中，在真空條件下，十八烷基三氯硅烷蒸汽在所述基底上反應即得到所述十八烷基三氯硅烷單分子層。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟（2）中，所述真空蒸鍍的真空鍍為6×10^-4Pa～4×10^-4Pa；

所述真空蒸鍍的蒸鍍速度為

4.根據權利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟（2）中，所述酞菁氧鈦層的厚度為1～3nm。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，所述物理氣相傳輸法的過程如下：

將酞菁氧鈦置于物理氣相傳輸系統的加熱區，將經步驟（2）處理后的所述基底置于所述物理氣相傳輸系統的低溫沉積區；

所述酞菁氧鈦在所述加熱區內進行升華得到酞菁氧鈦蒸汽，所述酞菁氧鈦蒸汽在載氣的作用下傳輸至所述低溫沉積區內，在所述酞菁氧鈦層上進行沉積和進行生長即得到所述α相酞菁氧鈦多晶薄膜。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述加熱區的溫度為320℃～370℃；

所述低溫沉積區的溫度為200～210℃，所述沉積和生長的時間為1～2小時；

所述物理氣相傳輸系統的真空度為3～5Pa。

7.權利要求1-6中任一項所述方法制備的α相酞菁氧鈦多晶薄膜。

8.根據權利要求7所述的多晶薄膜，其特征在于：所述α相酞菁氧鈦多晶薄膜的厚度為30～60nm。

9.權利要求7所述的多晶薄膜在構筑場效應晶體管中的應用。

10.一種場效應晶體管，其特征在于：所述場效應晶體管的半導體層為權利要求7所述的α相酞菁氧鈦多晶薄膜。