[發(fā)明專利]非揮發(fā)性存儲器及非揮發(fā)性存儲器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310152818.0
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103378105A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 樸健植;白圭夏
• 申請（專利權）人: 韓國電子通信研究院
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 葛青

1.一種非揮發(fā)性存儲器，包括：

深阱，其配備在基板上；

第1阱，其配備在所述深阱區(qū)域內；

第2阱，其配備在所述深阱區(qū)域內與所述第1阱隔離；

第1場效應晶體管，其配備在所述第1阱上；和

第2場效應晶體管，其配備在所述第2阱上。

2.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述深阱包括N類型的導電型深阱，且

所述第1阱及所述第2阱，各自包括P類型的導電型阱，且

所述第1場效應晶體管及所述第2場效應晶體管為導電型NMOS。

3.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述第1阱及所述第2阱中的至少一個，在所述非揮發(fā)性存儲器中相鄰的存儲單元之間被共享。

4.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述非揮發(fā)性存儲器，認可所述第1場效應晶體管中對應于數(shù)據(jù)記錄的第1電壓，并認可所述第2阱區(qū)域及所述第2場效應晶體管中各自預先設置的電壓，且相一致地保持所述第2阱區(qū)域的電壓，與相鄰的存儲單元不同地來認可所述第2場效應晶體管的源電壓及漏電壓，從而僅將數(shù)據(jù)記錄在選擇的存儲單元中。

5.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述非揮發(fā)性存儲器，為了將數(shù)據(jù)記錄在存儲器中，在所述第1場效應晶體管的源區(qū)域、漏區(qū)域、及阱區(qū)域的至少一個中認可對應于數(shù)據(jù)記錄的第1電壓，并認可所述非揮發(fā)性存儲器中包括的存儲單元和所述存儲單元相鄰的存儲單元所共享的所述第2阱區(qū)域中預先設置的電壓，并在所述第2場效應晶體管的源區(qū)域、漏區(qū)域的至少一個中認可預先設置的電壓，將沒有被選擇為記錄數(shù)據(jù)的存儲單元中所包含的所述第2場效應晶體管的源區(qū)域及漏區(qū)域控制為0V或浮動，從而進行控制，使電子通過隧穿至所述第2場效應晶體管的浮柵被注入。

6.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述非揮發(fā)性存儲器，為了將數(shù)據(jù)記錄在存儲器中，在所述第1場效應晶體管的源區(qū)域、漏區(qū)域、及阱區(qū)域的至少一個中認可對應于數(shù)據(jù)記錄的第1電壓，并認可所述非揮發(fā)性存儲器中包括的存儲單元和所述存儲單元相鄰的存儲單元所共享的所述第2阱區(qū)域中為0V的電壓，并認可所述第2場效應晶體管的源區(qū)域中為0V的電壓，并認可所述第2場效應晶體管的漏區(qū)域中預先設置的電壓，將沒有被選擇為記錄數(shù)據(jù)的存儲單元中所包含的所述第2場效應晶體管的漏區(qū)域控制為0V或浮動，從而進行控制，使所述第2場效應晶體管的信道中所生成的信道熱電子被注入至所述第2場效應晶體管的浮柵。

7.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述非揮發(fā)性存儲器，為了將數(shù)據(jù)記錄在存儲器中，在所述第1場效應晶體管的源區(qū)域、漏區(qū)域、及阱區(qū)域的至少一個中認可對應于數(shù)據(jù)刪除的第2電壓，并認可所述非揮發(fā)性存儲器中包括的存儲單元和所述存儲單元相鄰的存儲單元所共享的所述第2阱區(qū)域中預先設置的電壓，并在所述第2場效應晶體管的源區(qū)域、漏區(qū)域的至少一個中認可預先設置的電壓，將沒有被選擇為記錄數(shù)據(jù)的存儲單元中所包含的所述第2場效應晶體管的源區(qū)域及漏區(qū)域控制為0V或浮動，從而進行控制，使電子從所述第2場效應晶體管的浮柵經隧穿被清除。

8.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述非揮發(fā)性存儲器，為了將數(shù)據(jù)記錄在存儲器中，在所述第1場效應晶體管的源區(qū)域、漏區(qū)域、及阱區(qū)域的至少一個中認可對應于數(shù)據(jù)刪除的第2電壓，并認可所述非揮發(fā)性存儲器中包括的存儲單元和所述存儲單元相鄰的存儲單元所共享的所述第2阱區(qū)域中為0V或預先設置的電壓，并認可所述第2場效應晶體管的源區(qū)域中為0V的電壓，并認可所述第2場效應晶體管的漏區(qū)域中預先設置的電壓，將沒有被選擇為記錄數(shù)據(jù)的存儲單元中所包含的所述第2場效應晶體管的漏區(qū)域控制為0V或浮動，從而將陰極電壓引入至所述第2場效應晶體管的浮柵，并進行控制，使所述第2場效應晶體管的信道區(qū)域中經碰撞電離所生成的穴被注入至所述第2場效應晶體管的浮柵。

9.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，其中，所述第1場效應晶體管包括一個以上的n+型區(qū)域及一個以上的p+型擴散區(qū)域中的至少一個。

10.如權利要求1所述的非揮發(fā)性存儲器，進一步包括：

選擇性晶體管，其配備在所述第2阱上。